用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置和清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置及清洗方法。该清洗装置包括清洗工位、管路系统和控制系统，管路系统包括进水管、反应溶液输入管、输气管和排放管，进水管上设置有供水泵，供水泵能够将清洗水输送至反应釜的腔室中，反应溶液输入管上设置有供液泵，供液泵能够将反应溶液输送至反应釜的腔室中，输气管能够将干燥气体源中的干燥气体输送至反应釜的腔室而干燥该腔室，排放管上设置循环排放泵，循环排放泵能够将反应釜的腔室中的液体排出，控制系统用于控制清洗水、反应溶液、干燥气体的输送及反应釜的腔室中的液体的排放。本发明专利技术的清洗装置通过将清洗工位、管路系统及控制设备等集成化，能够高效省力地清洗该反应釜。

【技术实现步骤摘要】
用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置和清洗方法
本专利技术涉及反应釜清洗
，尤其涉及一种用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置和清洗方法。
技术介绍
氮化镓晶体是第三代半导体材料，其具有优异的光电性能、热稳定性和化学稳定性。目前，生产氮化镓晶体的方法主要有氢化物气相外延法、高压氮气溶液法、助熔剂法和氨热法等。其中，在采用氨热法生产氮化镓晶体时，生产结束时，其使用的反应釜的内壁会残留矿化物、氮化镓多晶及反应中间物等残留物，若不将残留物清洗干净，将影响反应釜的使用寿命及氮化镓晶体的生产质量。目前，多采用人工手动的方式对反应釜进行搬运清洗，其劳动强度大，费时费力，工作效率较低。
技术实现思路
基于现有技术的上述缺陷，本专利技术的目的在于提供一种高效省力地清洗用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置和清洗方法。为此，本专利技术提供如下技术方案。本专利技术提供了一种用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置，所述清洗装置包括清洗工位、管路系统和控制系统，所述清洗工位用于放置待清洗的反应釜，所述管路系统包括进水管、反应溶液输入管、输气管和排放管，所述进水管的一端用于连接至清洗水源，另一端用于连接至所述反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置包括清洗工位、管路系统和控制系统，所述清洗工位用于放置待清洗的反应釜，所述管路系统包括进水管、反应溶液输入管、输气管和排放管，所述进水管的一端用于连接至清洗水源，另一端用于连接至所述反应釜的腔室，所述进水管上设置有供水泵，所述供水泵能够将所述清洗水源中的清洗水通过所述进水管输送至所述反应釜的腔室中，所述反应溶液输入管的一端用于连接至用于盛放反应溶液的容纳装置，另一端用于连接至所述反应釜的腔室，所述反应溶液输入管上设置有供液泵，所述供液泵能够将所述反应溶液通过所述反应溶液输入管输送至所述反应釜的腔室中，所述反应溶液能够与氮化镓...

【技术特征摘要】
1.一种用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置包括清洗工位、管路系统和控制系统，所述清洗工位用于放置待清洗的反应釜，所述管路系统包括进水管、反应溶液输入管、输气管和排放管，所述进水管的一端用于连接至清洗水源，另一端用于连接至所述反应釜的腔室，所述进水管上设置有供水泵，所述供水泵能够将所述清洗水源中的清洗水通过所述进水管输送至所述反应釜的腔室中，所述反应溶液输入管的一端用于连接至用于盛放反应溶液的容纳装置，另一端用于连接至所述反应釜的腔室，所述反应溶液输入管上设置有供液泵，所述供液泵能够将所述反应溶液通过所述反应溶液输入管输送至所述反应釜的腔室中，所述反应溶液能够与氮化镓多晶和/或反应中间物反应以溶解所述氮化镓多晶和/或反应中间物，所述输气管的一端用于连接至干燥气体源，另一端用于连接至所述反应釜的腔室，使得所述干燥气体源中的干燥气体能够通过所述输气管输送至所述反应釜的腔室而干燥所述腔室，所述排放管的一端用于连接至所述反应釜的腔室，所述排放管上设置循环排放泵，所述循环排放泵能够将所述反应釜的腔室中的液体通过所述排放管排出，所述控制系统用于控制所述清洗水、所述反应溶液、所述干燥气体的输送及所述反应釜的腔室中的液体的排放。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗工位包括第一清洗工位和第二清洗工位，所述进水管包括第一进水管和第二进水管，所述第一进水管的一端用于连接至作为所述清洗水的普通水、反渗透水或去离子水的清洗水源，另一端用于连接至位于所述第一清洗工位的所述反应釜的腔室，所述第二进水管的一端用于连接至作为所述清洗水的去离子水的清洗水源，另一端用于连接至位于所述第二清洗工位的所述反应釜的腔室，所述反应溶液输入管用于连接至位于所述第一清洗工位的所述反应釜的腔室，所述输气管用于连接至位于所述第二清洗工位的所述反应釜的腔室，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林岳明，高明哲，
申请(专利权)人：上海玺唐半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31