单晶硅切片机砂浆引流装置制造方法及图纸

一种单晶硅切片机砂浆引流装置，属于晶体硅生产设备技术领域，本装置包括两个结构相同的引流槽，两个引流槽水平延伸设置在工作台的两侧，以在晶棒切割时对砂浆起到引流作用，避免在晶棒切割过程中砂浆速度过快而对硅面造成损伤，引流槽包括第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面，第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面依次首尾连接，围成方体形空腔，第一引流面固定在机器的加工台上，第二引流面将飞溅的砂浆遮挡，第三引流面是一个砂浆流淌的平面，第二引流面、第三引流面和第四引流面构成一个槽体将砂浆引流到线面两端，避免了飞溅的砂浆在线网上再次加速，对硅片造成伤害。

Mortar Drainage Device of Single Crystal Silicon Chipper

A mortar drainage device for single crystal silicon chipper belongs to the technical field of crystal silicon production equipment. The device comprises two drainage grooves with the same structure. The two drainage grooves extend horizontally on both sides of the worktable to drain the mortar when the crystal rod is cut, so as to avoid the damage to the silicon surface caused by the excessive speed of mortar during the process of cutting the crystal rod. The drainage groove includes the first drainage surface. The first drainage surface, the second drainage surface, the third drainage surface and the fourth drainage surface are connected head and tail in turn, forming a square cavity. The first drainage surface is fixed on the machine processing table, the second drainage surface is blocked by splashing mortar, and the third drainage surface is a plane for the flow of mortar, the second drainage surface, the third drainage surface and the fourth drainage surface are connected head and tail in turn. The four drainage surfaces form a groove to drain the mortar to both ends of the line surface, thus avoiding further acceleration of the splashed mortar on the line network and causing damage to the silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
单晶硅切片机砂浆引流装置
本技术属于晶体硅生产设备
，具体涉及一种单晶硅切片机砂浆引流装置。
技术介绍
单晶硅多线切片机，采用游离砂浆进行研磨。切割过程中，砂浆首先黏在钢线上，与钢线一起运动到切割位置，在钢线的压力下，将需要切割的材料研磨碎，通过砂浆把温度和研磨掉的硅粉带走。但是，砂浆在晶棒两端的分布，要少于中间位置的砂浆量，会造成翘曲分布不均匀的状况，增加引流槽可以改善两端位置的砂浆分布，改善翘曲；在切片过程中，钢线往复运动，切割到晶棒半径位置，中间位置的砂浆外排区域减小，高速运动的钢线加大了砂浆对两端硅片的冲击作用，会出现两端裂片的不良现象。因此，需要设计砂浆引流槽来将中间位置飞溅的砂浆引出线网面。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种能够在晶棒切割时将飞溅的砂浆引流出的单晶硅切片机砂浆引流装置。一种单晶硅切片机砂浆引流装置，引流装置包括两个结构相同的引流槽，两个引流槽水平延伸设置在工作台的两侧，与晶棒两侧的砂浆罐道配合设置，在晶棒切割时对砂浆起到引流作用，引流槽包括第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面，第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面依次首尾连接，围成方体形空腔，第一引流面和第三引流面的大小相同，且上下正对设置，第二引流面与第四引流面左右正对设置，且第四引流面的高度小于第二引流面的高度，以使第四引流面与第一引流面之间形成缺口，且引流槽的前后端面开口，在晶棒切割时，砂浆自第四引流面的缺口进入至引流槽内，再经引流槽的前后端口将砂浆引流出。优选的，所述第四引流面的高度为第二引流面高度的一半，以使砂浆从第四引流面的缺口流入至砂浆槽内，再经砂浆槽导流出。优选的，在第一引流面的上端面上设置有两个螺纹孔，以与工作台拧紧固定。本技术采用上述技术方案，其有益效果在于：本装置包括两个结构相同的引流槽，两个引流槽水平延伸设置在工作台的两侧，以在晶棒切割时对砂浆起到引流作用，避免在晶棒切割过程中砂浆的能量过快而对硅面造成损伤，引流槽包括第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面，第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面依次首尾连接，围成方体形空腔，第一引流面固定在机器的加工台上，第二引流面将飞溅的砂浆遮挡，第三引流面是一个砂浆流淌的平面，第二引流面、第三引流面和第四引流面构成一个槽体将砂浆引流到线面两端，避免了飞溅的砂浆在线网上再次加速，对硅片造成伤害。附图说明图1为单晶硅切片机砂浆引流装置的安装结构示意图。图2为引流槽的结构示意图。图3为引流槽的另一角度结构示意图。图中：单晶硅切片机砂浆引流装置10、引流槽20、第一引流面21、连接孔211、第二引流面22、第三引流面23、第四引流面24、工作台30、晶棒40、钢线50、砂浆罐道60。具体实施方式请参看图1至图3，本技术实施例提供了一种单晶硅切片机砂浆引流装置10，包括两个结构相同的引流槽20，两个引流槽20水平延伸设置在工作台30的两侧，与晶棒40两侧的砂浆罐道60配合设置，在晶棒40切割时对砂浆起到引流作用，引流槽20包括第一引流面21、第二引流面22、第三引流面23和第四引流面24，第一引流面21、第二引流面22、第三引流面23和第四引流面24依次首尾连接，围成方体形空腔，第一引流面21和第三引流面23的大小相同，且上下正对设置，第二引流面22与第四引流面24左右正对设置，且第四引流面24的高度小于第二引流面22的高度，以使第四引流面24与第一引流面21之间形成缺口，且引流槽20的前后端面开口，在晶棒40切割时，砂浆自第四引流面24的缺口进入至引流槽20内，再经引流槽20的前后端口将砂浆引流出；根据切片机的切割原理，当晶棒40切割到70%的位置的时候，砂浆在钢线50的带动下，从晶棒40的曲面冲击到已经切好的硅片，但是由于晶锭两端的硅片在砂浆的冲击下，左右摇摆的幅度较大，硅片会在树脂板接着位置或者线痕未知发生裂片；因此本装置设计有两个引流槽20，两个引流槽20对称设置在晶棒40的两端，分别与晶棒40两端的砂浆罐道60配合设置，每个引流槽20的的第一引流面21固定在机器的加工台上，第二引流面22将飞溅的砂浆遮挡，第三引流面23是一个砂浆流淌的平面，第二引流面22、第三引流面23和第四引流面24构成一个槽体将砂浆引流到线面两端，避免了飞溅的砂浆在线网上再次加速，对硅片造成伤害。进一步的，所述第四引流面24的高度为第二引流面22高度的一半，以使砂浆从第四引流面24的缺口流入至砂浆槽内，再经砂浆槽导流出。进一步的，在第一引流面21的上端面上设置有两个螺纹孔，以与工作台30配合固定。本装置在使用时，在晶棒40切割过程中，砂浆自晶棒40两端的引流槽20的第四引流面24与第一引流面21之间形成缺口进入至引流槽20内，第三引流面23是一个砂浆流淌的平面，砂浆经第三引流面23流淌至引流槽20的两端口，以对砂浆进行引流，避免砂浆对硅片造成冲击。以上所揭露的仅为本技术较佳实施例而已，当然不能以此来限定本技术之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本技术权利要求所作的等同变化，仍属于技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅切片机砂浆引流装置，其特征在于：引流装置包括两个结构相同的引流槽，两个引流槽水平延伸设置在工作台的两侧，与晶棒两侧的砂浆罐道配合设置，在晶棒切割时对砂浆起到引流作用，引流槽包括第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面，第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面依次首尾连接，围成方体形空腔，第一引流面和第三引流面的大小相同，且上下正对设置，第二引流面与第四引流面左右正对设置，且第四引流面的高度小于第二引流面的高度，以使第四引流面与第一引流面之间形成缺口，且引流槽的前后端面开口，在晶棒切割时，砂浆自第四引流面的缺口进入至引流槽内，再经引流槽的前后端口将砂浆引流出。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅切片机砂浆引流装置，其特征在于：引流装置包括两个结构相同的引流槽，两个引流槽水平延伸设置在工作台的两侧，与晶棒两侧的砂浆罐道配合设置，在晶棒切割时对砂浆起到引流作用，引流槽包括第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面，第一引流面、第二引流面、第三引流面和第四引流面依次首尾连接，围成方体形空腔，第一引流面和第三引流面的大小相同，且上下正对设置，第二引流面与第四引流面左右正对设置，且第四引流面的高度小于第二引流面的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵延祥，
申请(专利权)人：宁夏银和半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏,64