The invention relates to a conductor path structure, in particular a conductor path structure of a lead frame for smart card applications, comprising at least one first conductor path layer (10) having multiple first conductor paths (11; 11a 11f) and at least one second conductor path layer (20) having multiple second conductor paths (21; 21a 21f), with overlapping conductor path layers (10, 20) made up of insulators (30). Separately, at least one first conductor path (11; 11a, 11b, 11c, 11d, 11f) of the first conductor path layer (10) has at least one bonding port (12; 12a_12e) through which the bonding line can pass and conduct contact with the conductor path (21; 21a_21f) of the second conductor path layer (20), and at least two adjacent conductor paths (11; 1) of the first conductor path layer (10); 1a, 11b; 11b, 11c; 11d, 11e; 11e, 11f) are separated from each other through slots (13; 13a 13i) and at least two adjacent conductor paths (21a, 21b, 21c; 21d, 21e; 21f) are separated from each other through additional slots (23, 23a 23e). According to the present invention, slots (13; 13a 13i) separating adjacent conductor paths (11; 11a, 11b, 11c, 11d, 11f) of the first conductor path layer (10) and additional slots (13; 13a 13I or 23; 23a 23e) separating adjacent conductor paths (21; 21f) of the second conductor path layer (20) are staggered from each other.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导体路径结构、尤其是用于智能卡应用的引线框架的导体路径结构,带有至少两个叠置的导体路径层
本专利技术涉及一种导体路径结构、尤其是用于智能卡应用的引线框架的导体路径结构,其包括具有多个第一导体路径的至少一个第一导体路径层和具有多个第二导体路径的至少一个第二导体路径层,叠置的导体路径层通过绝缘体分开,第一导体路径层的至少一个第一导体路径具有至少一个贯穿它们的键合口,键合线可穿过所述键合口并且与第二导体路径层的导体路径导电接触,并且第一导体路径层的至少两个相邻的导体路径通过缝槽彼此分开并且第二导体路径层的至少两个相邻的导体路径通过另外的缝槽彼此分开。
技术介绍
这种导体路径结构是已知的并且通常用于制造尤其是用于智能卡应用的电子装置。为此将电子构件、尤其是用于智能卡的芯片插在第一导体路径层中或上。该电子构件与第一导体路径层和/或第二导体路径层的导体路径接触以本身已知并且不再详细描述的方式通过从电子构件伸出的键合线连接。为了将电子构件的键合线与第二导体路径层的导体路径的接触表面导电连接,使用所谓的过孔(Vias)、即键合口,其贯穿第一导体路径层和设置在第一导体路径层和第二导 ...
【技术保护点】
1.导体路径结构、尤其是用于智能卡应用的引线框架的导体路径结构,所述导体路径结构包括至少一个具有多个第一导体路径(11;11a‑11f)的第一导体路径层(10)和至少一个具有多个第二导体路径(21;21a‑21f)的第二导体路径层(20),叠置的导体路径层(10、20)由绝缘体(30)分开,第一导体路径层(10)的至少一个第一导体路径(11;11a、11b、11c、11d、11f)具有至少一个贯穿所述第一导体路径的键合口(12;12a‑12e),键合线能穿过所述键合口并且与第二导体路径层(20)的导体路径(21;21a‑21f)导电接触,并且第一导体路径层(10)的至少两个 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.11 DE 102016005657.6;2016.05.11 DE 20201601.导体路径结构、尤其是用于智能卡应用的引线框架的导体路径结构,所述导体路径结构包括至少一个具有多个第一导体路径(11;11a-11f)的第一导体路径层(10)和至少一个具有多个第二导体路径(21;21a-21f)的第二导体路径层(20),叠置的导体路径层(10、20)由绝缘体(30)分开,第一导体路径层(10)的至少一个第一导体路径(11;11a、11b、11c、11d、11f)具有至少一个贯穿所述第一导体路径的键合口(12;12a-12e),键合线能穿过所述键合口并且与第二导体路径层(20)的导体路径(21;21a-21f)导电接触,并且第一导体路径层(10)的至少两个相邻的导体路径(11;11a、11b;11b、11c;11d、11e;11e、11f)通过缝槽(13;13a-13i)彼此分开并且至少两个相邻的导体路径(21a、21b;21b、21c;21d、21e;21e、21f)通过另外的缝槽(23、23a-23e)彼此分开,其特征在于,分离第一导体路径层(10)的相邻导体路径(11;11a、11b、11c、11d、11f)的缝槽(13;13a-13i)和分离第二导体路径层(20)的相邻导体路径(21;21a-21f)的另外的...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·莫根塔勒,S·卡尔克,
申请(专利权)人:立联信控股有限公司,
类型:发明
国别省市:法国,FR
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