一种半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，通过多次离子注入来形成源漏区，在每次离子注入时，通过修剪光阻层，使得光阻层中的图案沿着栅长方向向两侧扩充，使得后一次注入的横向范围扩大，而较前一次离子注入，本次离子注入中的注入能量增大且剂量减小。这样，就形成了从源漏区中部至两侧离子注入浓度依次减小、注入深度依次增加源漏区，就在栅长方向上形成了具有梯度变化的源漏区，从而提高了器件的击穿电压，在此过程中，减少形成梯度变化的源漏区中的热预算，实现了器件击穿电压提高与器件速度提高二者的平衡，有助于器件性能的全面提高。

A Semiconductor Device and Its Manufacturing Method

The invention provides a semiconductor device and a manufacturing method thereof. The source and drain region is formed by multiple ion implantation. In each ion implantation, the pattern in the photoresistive layer is expanded along the gate length direction to both sides by trimming the photoresistive layer, which enlarges the transverse range of the latter implantation. Compared with the former ion implantation, the implantation energy in the current ion implantation increases and the dose decreases. \u3002 In this way, the ion implantation concentration decreases in turn from the middle of the source-drain region to both sides of the source-drain region, and the implantation depth increases in turn. A gradient-dependent source-drain region is formed along the gate length, thus increasing the breakdown voltage of the device. In this process, the thermal budget in the source-drain region with gradient variation is reduced and the breakdown voltage and device speed are increased by two steps. The balance of the two is helpful to the overall improvement of device performance.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，对MOS(MetaloxideSemiconductor，金属氧化物半导体)器件的集成度以及性能不断的提出更高的要求。在MOS器件的一个应用中，MOS器件用于形成3DNAND存储器的驱动电路，在对存储单元进行写和擦操作时，MOS器件需要能够耐足够高的电压，器件要有足够高的击穿电压(BV,BreakdownVoltage)。目前，是在形成源漏区的过程中，通过热扩散来控制源漏区横向方向上的浓度梯度，来获得较高的击穿电压。然而，随着对器件速度要求的提高，器件的沟道尺寸不断缩小，沟道击穿的风险不断增加，这需要降低器件热预算，这与提高击穿电压和提高器件速度的需求相冲突，难以在二者之间实现完全的平衡。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，提高半导体器件的击穿电压。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的衬底区域为源漏区域；形成光阻层，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的衬底区域为源漏区域；形成光阻层，所述光阻层中的图案暴露所述源漏区域的中部；进行第1次离子注入，而后，进行第i次修剪注入工艺，以在所述源漏区域中形成源漏区，i从1至I，I≥2且为正整数，所述第i修剪注入工艺包括：进行光阻层的第i次修剪，以在栅长方向上从两侧扩充所述光阻层中图案的所在区域；进行第i+1次离子注入；其中，从第1次离子注入至第I次离子注入，离子注入的掺杂类型相同，离子注入的能量依次增大、剂量依次减小。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有栅极，所述栅极两侧的衬底区域为源漏区域；形成光阻层，所述光阻层中的图案暴露所述源漏区域的中部；进行第1次离子注入，而后，进行第i次修剪注入工艺，以在所述源漏区域中形成源漏区，i从1至I，I≥2且为正整数，所述第i修剪注入工艺包括：进行光阻层的第i次修剪，以在栅长方向上从两侧扩充所述光阻层中图案的所在区域；进行第i+1次离子注入；其中，从第1次离子注入至第I次离子注入，离子注入的掺杂类型相同，离子注入的能量依次增大、剂量依次减小。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，离子注入的能量增量为第一预定值、剂量减少的减小量为第二预定值。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，第一预定值的范围为2KeV-7KeV，第二预定值的范围为1e12-5e12ions/cm2。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括进行第I+1次修剪注入工艺，所述第I+1次修剪注入工艺包括：进行光阻层的第I+1次修剪，以使得所述光阻层中的图案暴露出轻掺杂源漏区域；进行轻掺杂源漏的离子注入，以在所述轻掺杂源漏区域形成轻掺杂源漏区。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，从第1次离子注入至第I次离子注入，注入的离子为P，I为3，注入的能量可以依次从以下能量范围中选择：(15-25KeV)、(25-35KeV)、(35-45KeV)、(45-55KeV)。6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，从第1次离子注入至第I次...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，刘威，甘程，吴昕，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42