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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，通过多次离子注入来形成源漏区，在每次离子注入时，通过修剪光阻层，使得光阻层中的图案沿着栅长方向向两侧扩充，使得后一次注入的横向范围扩大，而较前一次离子注入，本次离子注入中的注入能量增大且剂量减小。这样，...
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