图像传感器及其制造方法以及成像装置制造方法及图纸

本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器，包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制造方法以及成像装置
本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。
技术介绍
图像传感器可用于对辐射(例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线、X射线等)进行感测，从而生成对应的电信号(例如，图像)。它被广泛地应用在数码相机、移动通信终端、安保设施和其他成像设备中。在图像传感器(例如，CMOS图像传感器(CIS)产品)中，暗电流是不可避免的，并且是一个主要性能参数。为了准确地对辐射进行感测，在图像传感器中设置黑色像素辐射感测元件以测量暗电流的大小，以便尽可能去除暗电流对图像传感器的影响。然而，在现有技术中，黑色像素辐射感测元件会受到来自图像传感器的外部的杂散辐射的影响，从而对暗电流测量带来了干扰。此外，图像传感器中的有源像素辐射感测元件也会受到外部杂散辐射的影响。因此，需要提出一种新的技术来解决上述现有技术中的一个或多个问题。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：屏蔽区，位于所述黑色像素辐射感测元件的上方，所述屏蔽区至少部分地阻挡从所述黑色像素辐射感测元件的上方朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述屏蔽区从所述黑色像素区延伸到所述缓冲区并占据所述缓冲区的至少一部分；以及所述第一阻挡壁的一部分与所述屏蔽区接触。4.根据权利要求2或3所述的图像传感器，其特征在于，所述屏蔽区在横向方向上跨过整个所述黑色像素区和整个所述缓冲区。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述有源像素区包含有源像...

【专利技术属性】
技术研发人员：王阳阳，汤茂亮，刘少东，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32