3D-NAND闪存及其工作方法技术

一种3D‑NAND闪存及其工作方法，3D‑NAND闪存包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的沟道层、以及位于所述沟道结构顶部的漏掺杂区和附加掺杂区；所述附加掺杂区位于所述漏掺杂区的侧部，且所述漏掺杂区和附加掺杂区均覆盖于部分所述沟道层之上，所述附加掺杂区的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相反。所述3D‑NAND闪存的性能得到提高。

【技术实现步骤摘要】
3D-NAND闪存及其工作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种3D-NAND闪存及其工作方法。
技术介绍
快闪存储器(FlashMemory)又称为闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NORFlashMemory)和与非门闪存(NANDFlashMemory)。相比NORFlashMemory，NANDFlashMemory能提供及高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也更快。随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维(3D)闪存应用而生，例如3D-NAND闪存。然而，现有技术中，3D-NAND闪存的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种3D-NAND闪存及其工作方法，以提高3D-NAND闪存的性能。为解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D‑NAND闪存，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的沟道层、以及位于所述沟道结构顶部的漏掺杂区和附加掺杂区；所述附加掺杂区位于所述漏掺杂区的侧部，且所述漏掺杂区和附加掺杂区均覆盖于部分所述沟道层之上，所述附加掺杂区的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相反。

【技术特征摘要】
1.一种3D-NAND闪存，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的沟道层、以及位于所述沟道结构顶部的漏掺杂区和附加掺杂区；所述附加掺杂区位于所述漏掺杂区的侧部，且所述漏掺杂区和附加掺杂区均覆盖于部分所述沟道层之上，所述附加掺杂区的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相反。2.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，当所述3D-NAND闪存的类型为N型时，所述漏掺杂区的导电类型为N型，所述附加掺杂区的导电类型为P型。3.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，当所述3D-NAND闪存的类型为P型时，所述漏掺杂区的导电类型为P型，所述附加掺杂区的导电类型为N型。4.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述附加掺杂区中具有附加离子，所述附加离子的浓度为10E18atom/cm3～10E21atom/cm3。5.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述附加掺杂区投影在半导体衬底表面的面积与所述漏掺杂区投影在半导体衬底表面的面积之比值为4/5～6/5。6.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述附加掺杂区与所述漏掺杂区邻接。7.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述半导体衬底中具有阱离子，所述阱离子的导电类型与所述漏掺杂区的导电类型相同。8.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，所述沟道结构还包括：沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的存储器层，所述存储器层位于所述沟道层的外侧；所述存储器层包括阻挡介质层、存储层和隧穿介质层，所述阻挡介质层、存储层和隧穿介质层在垂直于沟道结构侧壁且自沟道结构外至沟道结构内的方向依次层叠。9.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存，其特征在于，还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42