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一种3D‑NAND闪存及其工作方法，3D‑NAND闪存包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的堆叠结构；贯穿所述堆叠结构的沟道结构，所述沟道结构包括沿垂直于半导体衬底表面方向延伸的沟道层、以及位于所述沟道结构顶部的漏掺杂区和附加掺杂区；所述...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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