具有镍镀层的半导体封装及其制造方法技术

一种用于制造半导体封装的方法包括提供衬底，至少部分地将衬底包封在包封体中，通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层，以及通过无电镀Ni在第一Ni层上沉积第二Ni层。

【技术实现步骤摘要】
具有镍镀层的半导体封装及其制造方法
本公开总体上涉及一种包括Ni镀层的半导体封装和用于制造这种半导体封装的方法。
技术介绍
半导体封装可以包括由一个或多个金属层覆盖的外接触部。这种金属层可以用于例如改善半导体封装的电特性、用于使得能够将外接触部连接到客户板上的焊盘、或用于改善外接触部的耐用性。Ni是用于覆盖外接触部的这种金属的示例。这种金属层的制造可以包括几个步骤，可能需要昂贵的机器，可能包括使用昂贵的催化剂并且可能很耗时。改进的制造方法可以帮助克服这些问题并且还可以产出具有改善的电特性和/或机械特性的半导体封装。出于这些和其它原因，需要改进的半导体封装和用于制造半导体封装的改进方法。
技术实现思路
各种方面涉及用于制造半导体封装的方法，其中所述方法包括：提供衬底，至少部分地将衬底包封在包封体中，通过电镀(electroplating)在衬底的第一表面上沉积第一Ni层，以及通过无电镀Ni(electrolessNiplating)在第一Ni层上沉积第二Ni层。各种方面涉及用于制造半导体封装的方法，其中所述方法包括：提供衬底，其中衬底在第一表面上包括第一Ni层，至少部分地将衬底和第一Ni层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供衬底；至少部分地将所述衬底包封在包封体中；通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层；以及通过无电镀Ni在所述第一Ni层上沉积第二Ni层。

【技术特征摘要】
2017.07.20 DE 102017212457.11.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供衬底；至少部分地将所述衬底包封在包封体中；通过电镀在所述衬底的第一表面上沉积第一Ni层；以及通过无电镀Ni在所述第一Ni层上沉积第二Ni层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一Ni层仅被沉积在所述半导体封装的第一主面上，并且其中，所述第二Ni层被沉积在所述半导体封装的所述第一主面上以及至少一个侧面上。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，当所述半导体封装仍在人工晶片上时，执行对所述第一Ni层的沉积，并且其中，在分离所述半导体封装之后，执行对所述第二Ni层的沉积。4.根据权利要求3所述的方法，其中，沉积所述第一Ni层包括将所述人工晶片整个浸入电解质溶液中。5.根据权利要求3或4所述的方法，其中，分离包括从所述半导体封装的至少一个侧面上的Cu焊盘去除毛刺。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二Ni层被直接沉积在所述至少一个侧面上的所述Cu焊盘上。7.根据前述权利要求中的一项所述的方法，还包括：在所述第一Ni层和所述第二Ni层上沉积第三层，其中，所述第三层包括Au、Ag、Pd和Sn中的一个或多个。8.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述衬底包括引线框架。9.一种用于制造半导体封装的方法，所述方法包括：提供衬底，其中，所述衬底在第一表面上包括第一Ni层；至少部分地将所述衬底和所述第一Ni层包封在包封体中；以及通过无电镀Ni在所述第一Ni层上沉积第二Ni层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴顺禄，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE