一种薄膜传感器及其制备方法技术

本申请公开了一种薄膜传感器及其制备方法，用以提升薄膜传感器的性能。本申请实施例提供的一种薄膜传感器，所述薄膜传感器包括：第一基板、第二基板、以及将所述第一基板和所述第二基板贴合的导电部件；所述第一基板包括：薄膜晶体管，所述第二基板包括：传感器件，所述薄膜晶体管与所述传感器件通过所述导电部件电连接。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜传感器及其制备方法
本申请涉及传感器
，尤其涉及一种薄膜传感器及其制备方法。
技术介绍
现有技术中，薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)和传感元件(sensingelement)组成的薄膜传感器的制备是在形成有TFT的基底之上进行sensingelement制备，以sensingelement为PIN器件为例，形成有TFT的基底的材质和平整性影响PIN器件各膜层的成膜质量，当TFT基地电路结构复杂时，会导致PIN各膜层所在位置的下方凹凸不平，造成PIN成膜质量变差，如晶界密度大，薄膜均匀性差等，从而引起光电转换效率降低；并且，sensingelement制作过程中的温度、刻蚀等工序会对TFT的特性产生影响，表现为TFT漏电流升高，TFT的阈值电压漂移等，例如，PIN沉积过程中产生的氢，会渗入TFT沟道中，产生掺杂效应，引起漏电流升高和阈值电压负漂，影响TFT的可靠性以及工作稳定性。综上，现有技术中TFT和sensingelement组成的薄膜传感器的制备方法对TFT和sensingelement的性能均有影响，从而影响薄膜传感器的性能。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种薄膜传感器，其特征在于，所述薄膜传感器包括：第一基板、第二基板、以及将所述第一基板和所述第二基板贴合的导电部件；所述第一基板包括：薄膜晶体管，所述第二基板包括：传感器件，所述薄膜晶体管与所述传感器件通过所述导电部件电连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜传感器，其特征在于，所述薄膜传感器包括：第一基板、第二基板、以及将所述第一基板和所述第二基板贴合的导电部件；所述第一基板包括：薄膜晶体管，所述第二基板包括：传感器件，所述薄膜晶体管与所述传感器件通过所述导电部件电连接。2.根据权利要求1所述的薄膜传感器，其特征在于，所述导电部件为导电油墨或导电胶。3.根据权利要求2所述的薄膜传感器，其特征在于，所述导电部件为所述导电油墨；所述传感器件包括：第一电极、位于所述第一电极面向所述第一基板一侧的功能材料层、以及位于所述功能材料层面向所述第一基板一侧的第二电极；所述第二电极复用所述导电油墨；所述第一基板还包括：位于所述薄膜晶体管面向所述第二基板一侧的绝缘层，所述绝缘层具有露出所述薄膜晶体管的源极或漏极的过孔，所述导电油墨与所述绝缘层贴合使得贴合后的导电油墨延伸至所述过孔与所述源极或漏极相连。4.根据权利要求2所述的薄膜传感器，其特征在于，所述导电部件为导电胶，所述传感器件包括：第一电极、位于所述第一电极面向所述第一基板一侧的功能材料层、以及位于所述功能材料层面向所述第一基板一侧的第二电极；所述第一基板还包括：位于所述薄膜晶体管面向所述第二基板一侧的绝缘层、以及所述绝缘层面向所述第二基板一侧的第三电极，所述绝缘层具有露出所述薄膜晶体管的源极或漏极的过孔，所述第三电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管源极或漏极电连接，所述第三电极与所述第二电极通过所述导电胶贴合。5.根据权利要求2或4所述的薄膜传感器，其特征在于，所述导电胶为异方性导电胶。6.根据权利要求1所述的薄膜传感器，其特征在于，所述薄膜传感器还包括遮光层，所述遮光层在垂直于所述第一基板的方向上的正投影覆盖所述薄膜晶体管的沟道区；所述遮光层位于所述第二基板与所述导电部件之间，或者，所述遮光层位于所述第一基板与所述导电部件之间。7.一种薄膜传感器制备方法，其特征在于，该方法包括：形成包括薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦云科，刘英明，曹学友，郭玉珍，王海生，李治福，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11