铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极及其制备方法技术

本发明专利技术公开铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层；第一阻挡层为厚度10～200nm的SiN膜层或SiOxNy膜层；金属层为厚度20～200nm的Al层或Cu层；第二阻挡层为厚度5～50nm的MoN膜层或TiN膜层；内Mo层的厚度为100～800nm，所述外Mo层的厚度为20～200nm；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面溅镀各膜层即得到本电极，电极在有效降低铜铟镓硒薄膜电池成本的同时，更进一步提高了薄膜电池的性能，且工艺简单，制备方便。

【技术实现步骤摘要】
铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极及其制备方法
本专利技术涉及薄膜太阳能电池
，具体是一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极及其制备方法。
技术介绍
太阳能光伏发电是零排放的清洁能源，具有安全可靠、无噪音、无污染、资源取之不尽、建设周期短、使用寿命长等优势，因而备受关注。铜铟镓硒(CIGS)是一种直接带隙的P型半导体材料，其吸收系数高达105/cm，2μm厚的CIGS薄膜就可吸收90％以上的太阳光。CIGS薄膜的带隙从1.04eV到1.67eV范围内连续可调，可实现与太阳光谱的最佳匹配。CIGS薄膜太阳能电池作为新一代的薄膜电池具有性能稳定、抗辐射能力强、弱光也能发电等优点，其转换效率在薄膜太阳能电池中是最高的，2017年已达到22.6％的转化率，因此日本、德国等国家都投入巨资进行研究和产业化。在制备CIGS薄膜太阳能电池的过程中，获得高质量的背电极非常重要。背电极的质量直接影响CIGS吸收层薄膜的结晶、生长及表面形貌，进而对电池性能产生重要影响。在CIGS吸收层制备过程中，金属钼（Mo）不易同铜（Cu）或铟（In）合金化，不易在CIGS吸收层中扩散，具备较高的稳定性，并且同CIGS吸收层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极，其特征在于，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层；所述第一阻挡层为厚度10～200nm 的SiN膜层或SiOxNy膜层；所述金属层为厚度20～200nm的Al层或Cu层；所述第二阻挡层为厚度5～50nm 的MoN膜层或TiN膜层；所述内Mo层的厚度为100～800nm，所述外Mo层的厚度为20～200nm。

【技术特征摘要】
1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极，其特征在于，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层；所述第一阻挡层为厚度10～200nm的SiN膜层或SiOxNy膜层；所述金属层为厚度20～200nm的Al层或Cu层；所述第二阻挡层为厚度5～50nm的MoN膜层或TiN膜层；所述内Mo层的厚度为100～800nm，所述外Mo层的厚度为20～200nm。2.铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗玻璃基板，去除玻璃基板表面的污垢；S2、采用磁控溅射工艺，在玻璃基板表面溅镀10～200nm厚度的第一阻挡层，第一阻挡层为SiN膜层或SiOxNy膜层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，沈鸿烈，王天齐，彭塞奥，姚婷婷，金克武，
申请(专利权)人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司，南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34