一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触及其制备方法和应用。所述背接触为n型单抛硅背面依次镀有的纳米超薄金属附着层和电子选择性传输纳米金属层；所述纳米超薄金属附着层为铝、银或金，其厚度为0.5～1 nm；所述电子选择性传输纳米金属层为镁，其厚度为5～20 nm。本发明专利技术提供的纳米双金属层背接触中电子选择性传输纳米金属层与硅的接触和附着力更优，其可降低金属电极功函数，更有利于电子从硅到电极的传输，进而改善非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的能量转换效率。而且所述纳米双金属层背接触的制备工艺简单，无须退火过程，成本低廉，同时兼顾了制备工艺和产品性能，适于工业大规模化生产。

Back Contact of Nano-Bimetallic Layer for Non-doped Heterogeneous n-type Single-parabolic Silicon Solar Cells and Its Preparation Method and Application

The invention discloses a nano-bimetallic layer back contact for a non-doped heterogenous n-type single-parabolic silicon solar cell, a preparation method and application thereof. The back contact is n-type single parabolic silicon backside coated with nano-ultra-thin metal adhesion layer and electronically selective transmission nano-metal layer in turn; the nano-ultra-thin metal adhesion layer is aluminum, silver or gold with a thickness of 0.5-1 nm; and the electronically selective transmission nano-metal layer is magnesium with a thickness of 5-20 nm. The back contact of the nano-bimetallic layer provided by the invention has better contact and adhesion between the nano-metallic layer and silicon, which can reduce the work function of the metal electrode, facilitate the transmission of electrons from silicon to the electrode, and improve the energy conversion efficiency of the non-doped heterogenous n-type single-throw silicon solar cell. Moreover, the preparation process of the back contact of the nano-bimetallic layer is simple, does not need annealing process, and has low cost, taking into account both the preparation process and product performance, and is suitable for large-scale industrial production.

【技术实现步骤摘要】
一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触及其制备方法和应用
本专利技术属于太阳能电池工艺
，特别涉及一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触及其制备方法和应用。
技术介绍
非掺杂异质n型单抛硅太阳电池（Dopant-FreeHeterojunctionSolarCellsbasedonn-typeonesidepolishedSillicon）由于其制备过程无需进行高温掺杂，采用溶液加工法将有机聚合物与晶硅形成p-n异质结替代传统的扩散工艺，大大降低了异质结晶硅太阳电池的成本，其具有潜在的应用前景而发展迅速。在传统的晶硅太阳电池中，背接触多采用高温掺杂制备，然而该制备方法导致太阳电池的成本提高，不适于用于低成本的非掺杂异质n型单抛硅太阳电池。液态Ga/In合金电极受限于制备工艺，可重复性差。溶液法制备背接触，则需要对电池四周先进行封边处理，这就增加了制备工艺的复杂性。若直接用Al或Ag作为背电极，其与硅无法形成欧姆接触，接触电阻较大，导致制得的太阳电池能量转换效率较低。目前，已有文献报道了改善非掺杂异质n型单抛硅太阳电池能量转换效率的方法，包括晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触，其特征在于，所述背接触为n型单抛硅背面依次镀有的纳米超薄金属附着层和电子选择性传输纳米金属层；所述纳米超薄金属附着层为铝、银或金，其厚度为0.5～1 nm；所述电子选择性传输纳米金属层为镁，其厚度为5～20 nm。

【技术特征摘要】
1.一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触，其特征在于，所述背接触为n型单抛硅背面依次镀有的纳米超薄金属附着层和电子选择性传输纳米金属层；所述纳米超薄金属附着层为铝、银或金，其厚度为0.5～1nm；所述电子选择性传输纳米金属层为镁，其厚度为5～20nm。2.根据权利要求1所述用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触，其特征在于，所述纳米超薄金属附着层为铝，其厚度为0.5nm。3.根据权利要求1所述用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触，其特征在于，所述电子选择性传输纳米金属层的厚度为10nm。4.权利要求1～3任一所述用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.去除非掺杂异质n型单抛硅片表面的氧化层，得到洁净且表面无氧化层的n型单抛硅片；S2.在步骤S1得到的非掺杂异质n型单抛硅背面采用真空热蒸发法镀上纳米超薄金属附着层；S3.在步骤S2得到的纳米超薄金属附着层上采用真空热蒸发法镀上电子选择性传输纳米金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉照，麦耀华，吕晓宁，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：广东,44