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本发明公开了一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触及其制备方法和应用。所述背接触为n型单抛硅背面依次镀有的纳米超薄金属附着层和电子选择性传输纳米金属层；所述纳米超薄金属附着层为铝、银或金，其厚度为0.5～1 nm；所述电子...
该专利属于暨南大学所有，仅供学习研究参考，未经过暨南大学授权不得商用。

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