【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件的制造领域,尤其涉及一种图像传感器及其制作方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光学图像转换成电信号的器件。随着计算机和通信产业的发展,对高性能图像传感器的需求不断增长,这些高性能图像传感器广泛用于诸如数字照相机、摄像录像机、个人通信系统(PCS)、游戏机、安防摄像机、医用微型照相机之类的各种领域。图像传感器通常为两种类型,电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CMOSImageSensors,CIS)。相比于CCD图像传感器,CMOS图像传感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等优点。在传统CMOS感光元件中,感光二极管位于电路晶体管后方,进光量会因遮挡受到影响。背照式CMOS就是将其掉转方向,让光线首先进入感光二极管,从而增大感光量,显著提高低光照条件下的拍摄效果。而堆栈式图像传感器则是将原来图像传感器里的信号处理电路放到了原来的半导体基板上,在图像传感器芯片上重叠形成背照式图像传感器的像素部分,因此能够实现在较小的图像传感器芯片尺寸上形成大量像素点,可以把腾出来的空间放置更多的像素。另外,传感器里的像素 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:形成有光电二极管的半导体基板,所述半导体基板包含不同的像素区域,所述像素区域包括白色像素区域;位于所述半导体基板上的绝缘结构;位于所述绝缘结构上部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜;位于绝缘结构上对应不同像素的滤色层,所述滤色层包括白色滤色层,所述遮光膜隔离所述滤色层;位于所述白色滤色层上方并部分遮挡所述白色滤色层的有机光电二极管;位于滤色层上方的微透镜。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:形成有光电二极管的半导体基板,所述半导体基板包含不同的像素区域,所述像素区域包括白色像素区域;位于所述半导体基板上的绝缘结构;位于所述绝缘结构上部分覆盖所述绝缘结构的遮光膜;位于绝缘结构上对应不同像素的滤色层,所述滤色层包括白色滤色层,所述遮光膜隔离所述滤色层;位于所述白色滤色层上方并部分遮挡所述白色滤色层的有机光电二极管;位于滤色层上方的微透镜。2.如权利要求1所述图像传感器,其特征在于,所述遮光膜为具有遮光效果的金属材料。3.如权利要求2所述图像传感器,其特征在于,所述遮光膜材料为钨、铝或铜。4.如权利要求1所述图像传感器,其特征在于,所述绝缘结构为一层以上介质层形成的堆栈结构。5.如权利要求4所述图像传感器,其特征在于,所述的绝缘结构包含高介电常数材料层,抗反射层以及粘附介质层中的一种以上。6.一种图像传感器的制作方法,其特征在于,包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:武海亮,陈世杰,黄晓橹,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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