【技术实现步骤摘要】
摄像装置
本申请涉及摄像装置。
技术介绍
以往，已知利用了光电转换的图像传感器。例如，正在广泛使用具有光电二极管的CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)型图像传感器。CMOS型图像传感器具有耗电量低、能够进行各像素的访问的特点。CMOS型图像传感器与CCD(ChargeCoupleddevice，电荷耦合器件)型图像传感器不同，不具备能够同时传输全部像素的电荷的传输区域。因此，在CMOS型图像传感器中，通常采用对像素阵列的各行依次进行曝光和信号电荷的读出的所谓滚动快门来作为信号的读出方式。对于滚动快门来说，曝光的开始和终止的时刻在像素阵列的各行是不同的。因此，在对以高速移动的物体进行摄像时，作为物体的图像会得到变形的图像，或者在使用闪光灯时，图像内有时会产生亮度差。由于这种情况，需要在像素阵列中的全部像素中以相同时刻进行曝光的开始和终止的所谓全局快门功能。例如专利文献1公开了一种能够进行全局快门操作的CMOS型图像传感器。专利文献1中记载的技术在多个像素分别设有传输晶体管和电荷蓄积单元(电容器或二...
【技术保护点】
1.一种摄像装置，其具备多个单位像素单元，所述多个单位像素单元分别具备：光电转换部以及与第一电极电连接的信号检测电路，所述光电转换部包括：第一电极，该第一电极包含第一导电性材料；第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置；光电转换层，该光电转换层位于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含第一光电转换材料；和电子阻挡层，该电子阻挡层位于所述第一电极与所述光电转换层之间，且包含电子阻挡材料；其中，所述电子阻挡材料的电离电势大于所述第一导电性材料的功函数，且大于所述第一光电转换材料的电离电势，所述光电转换部具有下述光电流特性：在所述第一电极与所述第二电极之间施加偏压时，存在第一电压...
【技术特征摘要】
2017.04.10 JP 2017-0774451.一种摄像装置，其具备多个单位像素单元，所述多个单位像素单元分别具备：光电转换部以及与第一电极电连接的信号检测电路，所述光电转换部包括：第一电极，该第一电极包含第一导电性材料；第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置；光电转换层，该光电转换层位于所述第一电极与所述第二电极之间，且包含第一光电转换材料；和电子阻挡层，该电子阻挡层位于所述第一电极与所述光电转换层之间，且包含电子阻挡材料；其中，所述电子阻挡材料的电离电势大于所述第一导电性材料的功函数，且大于所述第一光电转换材料的电离电势，所述光电转换部具有下述光电流特性：在所述第一电极与所述第二电极之间施加偏压时，存在第一电压范围，所述第一电压范围是在所述第一电极与所述第二电极之间流通的电流密度在具有光入射的状态和不具有光入射的状态下为实质上同等的所述偏压的范围，所述第一电压范围的宽度为0.5V以上。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述电子阻挡材料的电离电势与所述第一光电转换材料的电离电势的能量差为0.2eV以上。3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述电子阻挡材料的电离电势与所述第一光电转换材料的电离电势的能量差为0.6eV以下。4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述信号检测电路对从所述光电转换层中取出的空穴进行检测。5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述第一光电转换材料包含有机材料。6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的摄像装置，其中，所述光电转换层包含第二光电转换材料，所述第二光电转换材料的电离电势大于所述第一光电转换材料的电离电势，或者，所述第二光电转换材料的电子亲和力大于所述第一光电转换材料的电子亲和力。7.一种摄像装置，其具备多个单位像素单元，所述多个单位像素单元分别具备：光电转换部以及与第一电极电连接的信号检测电路，所述光电转换部包括：第一电极，该第一电极包含第一导电性材料；第二电极，该第二电极与所述第一电极相对置；光电转换层，该光电转换层位...
【专利技术属性】
技术研发人员：德原健富，町田真一，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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