【技术实现步骤摘要】
用于通孔的CDSEM检测的对准标记及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种用于通孔的关键尺寸(CriticalDimension，CD)扫描电子显微镜(SEM)检测的对准标记。本专利技术还涉及一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记的制造方法。
技术介绍
光刻工艺包括光阻涂布，曝光，显影以及后续的检测，检测包括套准精度(overlay)测量，CDSEM测量即采用SEM测量图形的关键尺寸，显影后检测(ADI)。本专利技术涉及CDSEM测量，在CDSEM测量中，需要先进行光学显微镜(OM)对准，再进行SEM的对准，再进行SEM测量CD值。为了实现SEM的对准，需要进行SEM的对准标记的设置。SEM测量的CD值是光阻即光刻胶在曝光和显影后形成的光刻胶图形的尺寸，只有在SEM测量结果符合要求时，才进行后续的离子注入或刻蚀工艺。在集成电路制造中，通孔是形成于金属层之间并用于实现上下金属层的连接。现有工艺中，用于实现通孔的CDSEM检测的对准标记主要是通过在通孔底层的金属层中进行金属刻蚀实现，现说明如下：首先、如图1A所示，是现有CDSEM检测中进行光...
【技术保护点】
1.一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于，包括：第一金属层，所述第一金属层形成于半导体衬底上；在所述第一金属层上形成有金属对准标记，所述金属对准标记由对所述第一金属层进行刻蚀形成的金属线组成，所述金属线的两条宽度边和所述第一金属层连接，所述金属线的两条长度边外侧形成有由对所述第一金属层刻蚀后形成沟槽；在所述第一金属层的表面形成有第一层间膜，所述第一层间膜还将所述沟槽填充；在所述第一层间膜的表面形成有由光阻经过曝光和显影形成的光阻图形，所述光阻图形中形成有将通孔区域打开的光阻通孔，所述光阻图形中还形成有通孔对准标记，所述光阻通孔和所述通孔对准标记中的光阻都被显影...
【技术特征摘要】
1.一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于，包括：第一金属层，所述第一金属层形成于半导体衬底上；在所述第一金属层上形成有金属对准标记，所述金属对准标记由对所述第一金属层进行刻蚀形成的金属线组成，所述金属线的两条宽度边和所述第一金属层连接，所述金属线的两条长度边外侧形成有由对所述第一金属层刻蚀后形成沟槽；在所述第一金属层的表面形成有第一层间膜，所述第一层间膜还将所述沟槽填充；在所述第一层间膜的表面形成有由光阻经过曝光和显影形成的光阻图形，所述光阻图形中形成有将通孔区域打开的光阻通孔，所述光阻图形中还形成有通孔对准标记，所述光阻通孔和所述通孔对准标记中的光阻都被显影去除；所述通孔对准标记包括多个且形成于所述金属对准标记的金属线的正上方；在所述光阻的显影完成后的去离子水冲洗工艺会在所述通孔对准标记的底部产生电子，所述去离子水冲洗工艺在所述通孔对准标记底部产生的电子会通过所述金属线传导到所述第一金属层上并去除，避免在所述通孔对准标记的底部产生电子积聚，从而消除电子积聚使CDSEM无法对准的缺陷。2.如权利要求1所述的用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于：所述第一金属层的材料包括TiN。3.如权利要求1所述的用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有半导体器件，在所述半导体衬底和所述第一金属层之间形成有一层以上的前层层间膜和0层以上的前层金属层。4.如权利要求3所述的用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。5.如权利要求3所述的用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于：所述半导体器件包括PMOS管和NMOS管。6.如权利要求1所述的用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于：在所述第一层间膜的表面形成有底部抗反射层。7.如权利要求1所述的用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于：组成所述金属对准标记的金属线包括两根且两根所述金属线呈十字交叉结构。8.如权利要求7所述的用于通孔的CDSEM检测的对准标记，其特征在于：所述沟槽包括四个且都为块状结构，四个所述沟槽对称分布在所述金属线的十字交叉结构所分割的四个区域块中。9.一种用于通孔...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓国贵，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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