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本发明公开了一种用于通孔的CDSEM检测的对准标记，包括：形成于半导体衬底上第一金属层，在第一金属层上形成有金属对准标记，金属对准标记由对第一金属层进行刻蚀形成的金属线组成；金属线和第一金属层连接，长度边外侧为沟槽；在第一金属层的表面形成有...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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