光刻胶涂布装置制造方法及图纸

技术编号:20206914 阅读:25 留言:0更新日期:2019-01-25 22:53
本实用新型专利技术提供一种光刻胶涂布装置,包括晶圆承载台及光刻胶供给系统;光刻胶供给系统位于晶圆承载台的一侧,包括光刻胶供应管路、光刻胶喷嘴、流量调节阀、第一流量检测器及第二流量检测器;光刻胶供应管路一端与一光刻胶供应源相连接;光刻胶喷嘴与光刻胶供应管路远离光刻胶供应源的一端相连接;流量调节阀位于光刻胶供应管路上;第一流量检测器位于流量调节阀和光刻胶喷嘴之间的光刻胶供应管路上;第二流量检测器位于光刻胶喷嘴和第一流量检测器之间的光刻胶供应管路上,第二流量检测器和第一流量检测器之间具有间距。本实用新型专利技术的光刻胶涂布装置,能够及时发现因光刻胶供应管路破裂导致的光刻胶涂布量减少引发的工艺不良,提高生产良率。

【技术实现步骤摘要】
光刻胶涂布装置
本技术涉及一种半导体制造设备,特别是涉及一种光刻胶涂布装置。
技术介绍
光刻工艺是半导体芯片制造中非常重要的一道工艺,它是借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基板上,一般要经历基板表面清洗烘干、涂底、光刻胶涂布、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。这其中,光刻胶涂布又是重中之重,只有在基板上均匀涂布预定量的光刻胶,才能为后续的图形转移打下良好的基础。现有的光刻胶涂布设备中,为保证每次涂布的光刻胶的量达到预定要求,通常会在光刻胶供应管路紧靠调节阀的一侧设置有光刻胶流量检测器,以对从光刻胶源瓶中供应的光刻胶流量进行检测。流量检测器和光刻胶喷嘴之间通过光刻胶供应管路相连接,两者之间具有一定的距离,而光刻胶涂布的过程通常是由机械手臂抓取光刻胶喷嘴送到预定的涂布位置,完成涂布后再将喷嘴放回原位置,因而连接于流量检测器和光刻胶喷嘴之间的光刻胶供应管路经常处于被拉伸或弯折的状态。在使用一段时间后,光刻胶供应管路容易破裂,导致光刻胶泄露及最终喷涂的光刻胶量减少,造成晶圆涂胶不正常。现有的流量检测器检测的仅是光刻胶源瓶供应的光刻胶量,而无法对最终实际喷涂的量进行检测,因而像这种因光刻胶供应管路破裂导致光刻胶涂布量减少的问题不容易在第一时间被发现。一旦光刻胶涂布的量没有达到预定量,就很难在曝光显影过程中得到所需的图形,这样不仅会增加晶圆返工的成本,还极易造成晶圆的报废,且泄露的光刻胶不仅造成浪费,还会造成管路和设备的污染,导致不必要的成本上升。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本技术的目的在于提供一种光刻胶涂布装置,用于解决现有技术中因不能在第一时间发现光刻胶管路破裂导致的光刻胶泄露,光刻胶涂布量减少以及随之引发的涂布不良、管路污染、成本上升等问题。为实现上述目的及其他相关目的,本技术提供一种光刻胶涂布装置,所述光刻胶涂布装置包括晶圆承载台及光刻胶供给系统,所述光刻胶供给系统位于所述晶圆承载台的一侧,包括光刻胶供应管路、光刻胶喷嘴、流量调节阀、第一流量检测器及第二流量检测器;所述光刻胶供应管路一端与一光刻胶供应源相连接;所述光刻胶喷嘴与所述光刻胶供应管路远离所述光刻胶供应源的一端相连接;所述流量调节阀位于所述光刻胶供应管路上;所述第一流量检测器位于所述流量调节阀和所述光刻胶喷嘴之间的所述光刻胶供应管路上;所述第二流量检测器位于所述光刻胶喷嘴和所述第一流量检测器之间的所述光刻胶供应管路上,所述第二流量检测器和所述第一流量检测器之间具有间距。可选地,所述光刻胶涂布装置还包括将所述第一流量检测器的检测结果与所述第二流量检测器的检测结果进行比对的比较器,所述比较器与所述第一流量检测器和所述第二流量检测器相连接。可选地,所述光刻胶涂布装置还包括报警器,所述报警器与所述比较器相连接。可选地,所述比较器还与所述流量调节阀相连接。可选地,所述光刻胶涂布装置还包括抓取光刻胶喷嘴的光刻胶喷嘴抓取臂,所述光刻胶喷嘴抓取臂位于所述晶圆承载台的一侧。可选地,所述光刻胶涂布装置还包括驱动所述光刻胶喷嘴抓取臂移动的气缸,所述气缸与所述光刻胶喷嘴抓取臂相连接。可选地,所述光刻胶涂布装置还包括光刻胶喷嘴卡槽,所述光刻胶喷嘴卡槽位于所述晶圆承载台的一侧。可选地,所述光刻胶喷嘴卡槽还包括卡槽盖。可选地,所述光刻胶供给系统为多个。可选地,所述光刻胶涂布装置还包括旋转基座,所述旋转基座与所述晶圆承载台相连接。如上所述,本技术的光刻胶涂布装置,具有以下有益效果:本技术的光刻胶涂布装置,能够第一时间发现因光刻胶供应管路破裂导致的光刻胶涂布量减少的问题,提醒工作人员第一时间采取应对措施,以避免因光刻胶涂布不良引发的工艺不良,且因及时采取应对措施,能将光刻胶泄露导致的管路和设备污染问题最小化,最大程度减少不必要的成本损失,提高生产良率。附图说明图1显示为本技术的光刻胶涂布装置的结构示意图。元件标号说明11晶圆承载台12腔体21光刻胶供应管路22光刻胶喷嘴23流量调节阀24光刻胶供应源25第一流量检测器26第二流量检测器27比较器28报警器31光刻胶喷嘴抓取臂32气缸33光刻胶喷嘴卡槽34旋转基座41载气源51主控制器具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1。须知,本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等,均仅用以配合说明书所揭示的内容,以供熟悉此技术的人士了解与阅读,并非用以限定本技术可实施的限定条件,故不具技术上的实质意义,任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整,在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下,均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
所能涵盖的范围内。同时,本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语,亦仅为便于叙述的明了,而非用以限定本技术可实施的范围,其相对关系的改变或调整,在无实质
技术实现思路
的变更下,当亦视为本技术可实施的范畴。如图1所示,本技术提供一种光刻胶涂布装置,所述光刻胶涂布装置包括晶圆承载台11及光刻胶供给系统,所述晶圆承载台11用于承载晶圆,所述光刻胶供给系统位于所述晶圆承载台11的一侧,用于向放置于所述晶圆承载台11上的所述晶圆表面供给光刻胶,所述光刻胶供给系统包括光刻胶供应管路21、光刻胶喷嘴22、流量调节阀23、第一流量检测器25及第二流量检测器26;所述光刻胶供应管路21一端与一光刻胶供应源24相连接;所述光刻胶喷嘴22与所述光刻胶供应管路21远离所述光刻胶供应源24的一端相连接;所述流量调节阀23位于所述光刻胶供应管路21上;所述第一流量检测器25位于所述流量调节阀23和所述光刻胶喷嘴22之间的所述光刻胶供应管路21上;所述第二流量检测器26位于所述光刻胶喷嘴22和所述第一流量检测器25之间的所述光刻胶供应管路21上,所述第二流量检测器26和所述第一流量检测器25之间具有间距。所述光刻胶涂布装置一般包括一腔体12,所述晶圆承载台11位于所述腔体12内,以避免光刻胶喷涂过程中因光刻胶到处分散造成污染。当然,所述晶圆承载台11通常需连接至一真空吸附装置(未图示),以将晶圆牢牢吸附在所述晶圆承载台11的表面,避免在光刻胶涂布过程中发生移位。所述光刻胶喷嘴22通常需延伸到所述晶圆承载台11的正上方以对放置于所述晶圆承载台11上的晶圆表面进行光刻胶喷涂,光刻胶涂布过程中,所述光刻胶喷嘴22距离所述晶圆承载台11的直线距离一般小于2cm,所述光刻胶喷嘴22可选用锥形喷嘴,以使光刻胶能喷涂在预定的位置。所述光刻胶供应管路21的长度依所述光刻胶供应源24和所述晶圆承载台11的距离而定,从数十厘米到数米不等,所述第一流量检测器25一般尽量与所述光刻胶供应源24相邻设置以检测从所述光刻胶供应源24供应的光刻胶的流量,而所述第二流量检测器26尽量与所述光刻胶喷嘴22相邻设置以检测最终喷涂到所述晶圆表面的光刻胶的流量,即所述第一流量检测器25和所述第二流量检测器26位于所述光刻胶供应管路21的两端,因而通过比较所述第一流量检测器25和所述第二流量检测器26的检测结果,可以发现在所述光刻胶供应管路21本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种光刻胶涂布装置,其特征在于,包括:晶圆承载台;光刻胶供给系统,位于所述晶圆承载台的一侧,包括光刻胶供应管路、光刻胶喷嘴、流量调节阀、第一流量检测器及第二流量检测器;所述光刻胶供应管路一端与一光刻胶供应源相连接;所述光刻胶喷嘴与所述光刻胶供应管路远离所述光刻胶供应源的一端相连接;所述流量调节阀位于所述光刻胶供应管路上;所述第一流量检测器位于所述流量调节阀和所述光刻胶喷嘴之间的所述光刻胶供应管路上;所述第二流量检测器位于所述光刻胶喷嘴和所述第一流量检测器之间的所述光刻胶供应管路上,所述第二流量检测器和所述第一流量检测器之间具有间距。

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶涂布装置,其特征在于,包括:晶圆承载台;光刻胶供给系统,位于所述晶圆承载台的一侧,包括光刻胶供应管路、光刻胶喷嘴、流量调节阀、第一流量检测器及第二流量检测器;所述光刻胶供应管路一端与一光刻胶供应源相连接;所述光刻胶喷嘴与所述光刻胶供应管路远离所述光刻胶供应源的一端相连接;所述流量调节阀位于所述光刻胶供应管路上;所述第一流量检测器位于所述流量调节阀和所述光刻胶喷嘴之间的所述光刻胶供应管路上;所述第二流量检测器位于所述光刻胶喷嘴和所述第一流量检测器之间的所述光刻胶供应管路上,所述第二流量检测器和所述第一流量检测器之间具有间距。2.根据权利要求1所述的光刻胶涂布装置,其特征在于:所述光刻胶涂布装置还包括将所述第一流量检测器的检测结果与所述第二流量检测器的检测结果进行比对的比较器,所述比较器与所述第一流量检测器和所述第二流量检测器相连接。3.根据权利要求2所述的光刻胶涂布装置,其特征在于:所述光刻胶涂布装置还包括报警器,所述报警...

【专利技术属性】
技术研发人员:张海陆颜廷彪叶日铨黄志凯
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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