一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法。所述的光电晶体管包括依次叠置的底电极、硅基衬底、氧化镓薄膜和上电极。其中硅基衬底为具有二氧化硅层的硅基衬底，氧化镓薄膜为室温生长的非晶氧化镓薄膜。本发明专利技术可采用商业化的制备方法磁控溅射生长薄膜，工艺可控性强、容易操作，制作成本低。本发明专利技术制得的氧化镓薄膜表面致密、厚度稳定均一，适于大面积制备、且复性好。本发明专利技术制得的光电晶体管响应度高、紫外可见抑制比高、制造工艺简单，且所用材料容易获得，在日盲紫外探测领域具有潜在的应用前景。

A Silicon-based Amorphous GaO Thin Film Solar Blind Phototransistor and Its Manufacturing Method

The invention provides a silicon-based amorphous gallium oxide film solar-blind phototransistor and a manufacturing method thereof. The phototransistor comprises a bottom electrode, a silicon substrate, a gallium oxide film and an upper electrode stacked in sequence. Among them, silicon-based substrates are silicon-based substrates with silica layer, and gallium oxide films are amorphous gallium oxide films grown at room temperature. The invention can adopt a commercialized preparation method for magnetron sputtering to grow thin films, which has strong process controllability, easy operation and low production cost. The gallium oxide film prepared by the invention has compact surface and uniform thickness, is suitable for large area preparation and good renaturation. The phototransistor prepared by the invention has high responsiveness, high UV-Vis suppression ratio, simple manufacturing process and easy access to materials, and has potential application prospects in the field of solar blind ultraviolet detection.

【技术实现步骤摘要】
一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法
本专利技术属于光电探测器
，特别涉及一种利用磁控溅射沉积方法在二氧化硅/硅(SiO2/Si)衬底上生长非晶氧化镓(Ga2O3)薄膜的方法，以及应用非晶氧化镓薄膜的的光电晶体管。
技术介绍
大气中的平流臭氧层对波长在200nm到280nm之间的紫外光具有强烈的吸收作用，到达地面的处在该波段的紫外光辐射在海平面附近几乎衰减至零，故被称作日盲区，这就为工作于该波段的日盲-紫外光电探测系统提供了一个良好的信号背景。随着日盲-紫外探测技术的发展，其在日盲-紫外通信、导弹预警跟踪、火箭尾焰探测、天基紫外预警、紫外超光谱侦察、着舰引导、电晕探测、海上搜救等军用与民用领域有着广泛的应用前景。要实现日盲紫外探测，器件核心半导体材料的禁带宽度要大于4.4eV(对应探测波长280nm)，而Ga2O3的禁带宽度约为4.9eV，正好对应于日盲区，室温下激子束缚能高达40～50meV，远高于室温热离化能(26meV)，并具有优异的热稳定性和化学稳定性，是制备光电探测器，特别是日盲紫外探测器件的天然理想材料。目前报道的氧化镓薄膜日盲-紫外探测器的结构主要有金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，包括依次叠置的底电极、衬底、氧化镓薄膜和上电极，其特征在于：所述氧化镓薄膜为非晶薄膜，所述衬底为SiO2/Si衬底，该SiO2/Si衬底包括上部的SiO2层和下部的Si层。

【技术特征摘要】
1.一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，包括依次叠置的底电极、衬底、氧化镓薄膜和上电极，其特征在于：所述氧化镓薄膜为非晶薄膜，所述衬底为SiO2/Si衬底，该SiO2/Si衬底包括上部的SiO2层和下部的Si层。2.如权利要求1所述的硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，其特征在于：所述SiO2/Si衬底的SiO2层厚度为150nm至300nm。3.如权利要求1所述的硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，其特征在于：所述底电极包括Au层，上电极包括Au层或Au/Ti层。4.如权利要求1所述的硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管，其特征在于：所述非晶氧化镓薄膜的厚度为500nm至800nm。5.一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管的制造方法，包括：在衬底上生长氧化镓薄膜；在衬底的背部形成底电极；在氧化镓薄膜上形成上电极，其特征在于：所述氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷雪，
申请(专利权)人：北京镓族科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11