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本发明提供了一种硅基非晶氧化镓薄膜日盲光电晶体管及其制造方法。所述的光电晶体管包括依次叠置的底电极、硅基衬底、氧化镓薄膜和上电极。其中硅基衬底为具有二氧化硅层的硅基衬底，氧化镓薄膜为室温生长的非晶氧化镓薄膜。本发明可采用商业化的制备方法磁控...
该专利属于北京镓族科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镓族科技有限公司授权不得商用。

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