取代脲衍生物的晶型及其在药物中的应用制造技术

本发明专利技术涉及一种取代脲衍生物的晶型及其在药物中的应用，本发明专利技术还涉及包含所述晶型或它们的组合的药物组合物，以及所述晶型或所述药物组合物在制备用于治疗、缓解或预防与酪氨酸激酶活性有关的疾病或病症的药物中的用途。

Crystal Forms of Substituted Urea Derivatives and Their Applications in Drugs

The present invention relates to a crystal form of a substituted urea derivative and its application in medicine. The present invention also relates to a pharmaceutical composition comprising the crystal form or their combination, and the use of the crystal form or the pharmaceutical composition in the preparation of drugs for treating, alleviating or preventing diseases or diseases related to tyrosine kinase activity.

【技术实现步骤摘要】
取代脲衍生物的晶型及其在药物中的应用
本专利技术属于药物
，涉及取代脲衍生物的晶型及其用途，具体涉及1-(5-(叔丁基)异恶唑-3-基)-3-(4-((4-(3-吗啉代丙氧基)苯基)乙炔基)苯基)脲(式(I)所示化合物)的晶型及其用途，进一步涉及包含所述晶型的药物组合物。所述的晶型或所述晶型的药物组合物用于治疗、缓解或预防与酪氨酸激酶活性有关的疾病或病症。
技术介绍
受体蛋白酪氨酸激酶(RTK)活性的失调、过度或不规律已经在许多疾病状况下被观察到，包括良性的和恶性的增殖紊乱、炎症紊乱、免疫系统紊乱，其是由免疫系统不适当的激活引起的，会导致例如自身免疫疾病。到目前为止，大约有58种受体酪氨酸激酶，包括VEGF受体，PDGF受体(PDGF受体(PDGFR)家族由5种RTK组成：PDGFR-a和-b、CSFIR、c-KIT和FLT3)和FLK受体家族等。这些受体可以将信号转导至其他酪氨酸激酶，如SRC，RAF，FRK，BTK，CSK，ABI，FES/FPS，FAK，JAK，ACK等。FLT3属于III型受体酪氨酸激酶，FLT3受体在造血干细胞的增殖和变异中起重要作用，该受体的激活突变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种式(I)所示化合物的晶型，

【技术特征摘要】
2017.07.13 CN 201710570288X1.一种式(I)所示化合物的晶型，其特征在于，所述的晶型为晶型I、晶型II、晶型III、晶型IV、晶型V、晶型VI、晶型VII、晶型VIII或晶型IX。2.根据权利要求1所述的晶型，其中，所述的晶型I的X射线粉末衍射图谱在2θ角为14.61°±0.2°,19.25°±0.2°,22.24°±0.2°,22.46°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型II的X射线粉末衍射图谱在2θ角为19.89°±0.2°,20.84°±0.2°,21.07°±0.2°,21.33°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型III的X射线粉末衍射图谱在2θ角为17.29°±0.2°,18.93°±0.2°,19.68°±0.2°,19.98°±0.2°,21.06°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型IV的X射线粉末衍射图谱在2θ角为7.93°±0.2°,19.41°±0.2°,20.97°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型V的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.69°±0.2°,20.06°±0.2°,21.02°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型VI的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.32°±0.2°,17.23°±0.2°,20.71°±0.2°,25.27°±0.2°,26.10°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型VII的X射线粉末衍射图谱在2θ角为6.19°±0.2°,20.31°±0.2°,20.57°±0.2°,23.52°±0.2°,24.34°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型VIII的X射线粉末衍射图谱在2θ角为18.14°±0.2°,19.41°±0.2°,19.91°±0.2°,20.48°±0.2°,26.40°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型IX的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.26°±0.2°,17.14°±0.2°,20.69°±0.2°,20.90°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰。3.根据权利要求1所述的晶型，其中，所述晶型I的X射线粉末衍射图谱在2θ角为4.90°±0.2°,13.79°±0.2°,14.61°±0.2°,15.89°±0.2°,16.72°±0.2°,19.25°±0.2°,22.24°±0.2°,22.46°±0.2°,25.20°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型II的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.56°±0.2°,15.15°±0.2°,19.89°±0.2°,20.84°±0.2°,21.07°±0.2°,21.33°±0.2°,21.67°±0.2°,21.84°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型III的X衍射线粉末衍射图谱在2θ角为11.82°±0.2°,12.57°±0.2°,16.26°±0.2°,17.29°±0.2°,18.58°±0.2°,18.93°±0.2°,19.68°±0.2°,19.98°±0.2°,20.58°±0.2°,21.06°±0.2°,22.44°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型IV的X射线粉末衍射图谱在2θ角为7.57°±0.2°,7.93°±0.2°,15.99°±0.2°,18.37°±0.2°,19.09°±0.2°,19.41°±0.2°,20.97°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型V的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.69°±0.2°,8.52°±0.2°,12.32°±0.2°,15.21°±0.2°,17.73°±0.2°,20.06°±0.2°,21.02°±0.2°,21.50°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型VI的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.32°±0.2°,15.90°±0.2°,17.23°±0.2°,19.90°±0.2°,20.71°±0.2°,21.00°±0.2°,24.96°±0.2°,25.27°±0.2°,25.55°±0.2°,26.10°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型VII的X射线粉末衍射图谱在2θ角为6.19°±0.2°,18.18°±0.2°,18.69°±0.2°,19.55°±0.2°,20.31°±0.2°,20.57°±0.2°,23.52°±0.2°,24.34°±0.2°,26.18°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型VIII的X射线粉末衍射图谱在2θ角为7.53°±0.2°,16.89°±0.2°,18.14°±0.2°,18.63°±0.2°,19.41°±0.2°,19.91°±0.2°,20.48°±0.2°,21.68°±0.2°,23.30°±0.2°,26.40°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型IX的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.26°±0.2°,15.87°±0.2°,17.14°±0.2°,19.46°±0.2°,20.41°±0.2°,20.69°±0.2°,20.90°±0.2°,24.60°±0.2°,25.91°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰。4.根据权利要求1所述的晶型，其中，所述晶型I的X射线粉末衍射图谱在2θ角为4.90°±0.2°,9.84°±0.2°,10.59°±0.2°,12.19°±0.2°,13.79°±0.2°,14.61°±0.2°,15.19°±0.2°,15.89°±0.2°,16.72°±0.2°,17.45°±0.2°,17.89°±0.2°,18.62°±0.2°,19.25°±0.2°,19.81°±0.2°,21.05°±0.2°,22.24°±0.2°,22.46°±0.2°,23.00°±0.2°,23.66°±0.2°,24.73°±0.2°,25.20°±0.2°,26.33°±0.2°,26.68°±0.2°,27.78°±0.2°,28.83°±0.2°,29.54°±0.2°,30.88°±0.2°,31.82°±0.2°,33.22°±0.2°,33.87°±0.2°,34.98°±0.2°,36.39°±0.2°,37.98°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型II的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.56°±0.2°,8.38°±0.2°,9.86°±0.2°,10.32°±0.2°,10.91°±0.2°,12.14°±0.2°,14.37°±0.2°,14.87°±0.2°,15.15°±0.2°,15.88°±0.2°,17.56°±0.2°,18.53°±0.2°,19.28°±0.2°,19.89°±0.2°,20.84°±0.2°,21.07°±0.2°,21.33°±0.2°,21.67°±0.2°,21.84°±0.2°,23.13°±0.2°,24.52°±0.2°,25.82°±0.2°,27.58°±0.2°,28.29°±0.2°,28.85°±0.2°,31.08°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型III的X射线粉末衍射图谱在2θ角为4.20°±0.2°,6.24°±0.2°,7.23°±0.2°,8.36°±0.2°,8.64°±0.2°,10.25°±0.2°,11.14°±0.2°,11.82°±0.2°,12.57°±0.2°,13.65°±0.2°,15.21°±0.2°,15.83°±0.2°,16.26°±0.2°,16.95°±0.2°,17.29°±0.2°,17.87°±0.2°,18.58°±0.2°,18.93°±0.2°,19.68°±0.2°,19.98°±0.2°,20.58°±0.2°,21.06°±0.2°,21.82°±0.2°,22.44°±0.2°,24.31°±0.2°,26.00°±0.2°,26.43°±0.2°,27.04°±0.2°,27.72°±0.2°,28.11°±0.2°,28.66°±0.2°,30.67°±0.2°,31.77°±0.2°,34.84°±0.2°,39.98°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型IV的X射线粉末衍射图谱在2θ角为7.57°±0.2°,7.93°±0.2°,10.18°±0.2°,11.92°±0.2°,12.84°±0.2°,13.55°±0.2°,15.99°±0.2°,18.37°±0.2°,19.09°±0.2°,19.41°±0.2°,20.97°±0.2°,22.69°±0.2°,30.98°±0.2°位置中的一处或多处具有衍射峰；所述晶型V的X射线粉末衍射图谱在2θ角为5.69°±0.2°,8.52°±0.2°,12.32°±0.2°,15.21°±0.2°,17.73°±0.2°,19.40°±0.2°,20.06°±0.2°,21.02°±0.2°,21.50°±0.2°,23.28°±0.2°,26.16°±0.2°,27.61°±0.2°,28.60°±0.2°位置中的一处或多处具有衍...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，李成蹊，邓成，柏舜，刘兵，张英俊，郑常春，蔡少瑜，伍宏玉，袁湘中，黄开福，余天喜，陈冠俊，彭大华，
申请(专利权)人：广东东阳光药业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44