可逆AC-DC和DC-AC三端双向可控硅开关元件变换器制造技术

一种可逆变换器，包括在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管。第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件也在DC电压的第一端子和第二端子之间串联耦合。串联耦合的器件的中点通过电感元件耦合到AC电压的第一端子和第二端子。以不同的方式控制晶体管和三端双向可控硅开关元件的驱动，以在AC‑DC变换模式和DC‑AC变换模式下操作变换器。

Reversible AC-DC and DC-AC three-terminal bidirectional thyristor switching element converter

A reversible converter includes a first field effect transistor and a second field effect transistor coupled in series between the first terminal and the second terminal of the DC voltage. The first three-terminal bidirectional thyristor switching element and the second three-terminal bidirectional thyristor switching element are also coupled in series between the first terminal and the second terminal of DC voltage. The neutral point of the series coupled device is coupled to the first and second terminals of AC voltage through the inductance element. The transistor and three-terminal bidirectional thyristor switching elements are controlled in different ways to operate the converter in AC DC mode and DC AC mode.

【技术实现步骤摘要】
可逆AC-DC和DC-AC三端双向可控硅开关元件变换器优先权本申请要求2017年06月30日提交的法国专利申请No.1756179的优先权权益，其内容以法律允许的最大程度通过引用被整体并入。
本申请一般涉及电子电路，并且更具体地涉及被称为图腾柱输出变换器或中点共源共栅变换器的开关变换器。
技术介绍
开关变换器被用在许多应用中，并且已知众多类型的变换器。AC-DC变换器中的基于开关安装在中点共源共栅(图腾柱)上的两个晶体管(通常是MOS晶体管)的许多整流桥架构和其他无桥架构是众所周知的。这些变换器因为它们的效率而通常用于校正功率因数(功率因数校正器-PFC)。存在改进图腾柱变换器的需求。
技术实现思路
一个实施例提供了一种可逆的图腾柱变换器架构。一个实施例提供了与涌流的限制兼容的解决方案。在一个实施例中，一种可逆AC-DC变换器包括：在用于DC电压的第一端子和第二端子之间串联的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；电感元件，将与该串联的两个晶体管关联的第一中点链接至用于AC电压的第一端子；以及串联在DC电压端子之间的第一三端双向可控硅开关元件(triac)和第二三端双向可控硅开关元件，与串联本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可逆变换器，包括：第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，在与DC电压相关联的第一端子和第二端子之间串联耦合；电感元件，将所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的所述串联耦合的第一中点链接到与AC电压相关联的第一端子；以及第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件，在与所述DC电压相关联的所述第一端子和所述第二端子之间串联耦合，其中所述第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件的所述串联耦合的第二中点被链接到与所述AC电压相关联的第二端子。

【技术特征摘要】
2017.06.30 FR 17561791.一种可逆变换器，包括：第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，在与DC电压相关联的第一端子和第二端子之间串联耦合；电感元件，将所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的所述串联耦合的第一中点链接到与AC电压相关联的第一端子；以及第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件，在与所述DC电压相关联的所述第一端子和所述第二端子之间串联耦合，其中所述第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件的所述串联耦合的第二中点被链接到与所述AC电压相关联的第二端子。2.根据权利要求1所述的可逆变换器，还包括：第一二极管，与所述第一场效应晶体管并联连接，所述第一二极管的阳极端子被耦合到所述第一中点；以及第二二极管，与所述第二场效应晶体管并联连接，所述第二二极管的阴极端子被耦合到所述第一中点。3.根据权利要求2所述的可逆变换器，其中所述第一二极管和第二二极管中的每个二极管是场效应晶体管的本征漏极-源极二极管。4.根据权利要求1所述的可逆变换器，其中所述第一三端双向可控硅开关元件和所述第二三端双向可控硅开关元件中的每个三端双向可控硅开关元件的栅极在与所述第二中点相关联的一侧上。5.根据权利要求1所述的可逆变换器，其中所述第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控硅开关元件中的每个三端双向可控硅开关元件的栅极位于与所述DC电压相关联的所述第一端子和所述第二端子中的对应的一个端子相关联的一侧上。6.根据权利要求1所述的可逆变换器，其中：所述第一三端双向可控硅开关元件的栅极位于与所述第二中点相关联的一侧上；并且所述第二三端双向可控硅开关元件的栅极位于与所述第二端子相关联的一侧上，所述第二端子与所述DC电压相关联。7.根据权利要求1所述的可逆变换器，还包括控制电路，所述控制电路被配置成通过以下动作来控制变换器操作：在所述AC电压的第一符号的交替期间持续地使所述第二三端双向可控硅开关元件导通；以及在所述AC电压的第二符号的交替期间持续地使所述第一三端双向可控硅开关元件导通。8.根据权利要求7所述的可逆变换器，其中，在AC-DC变换模式下，所述控制电路还：在所述第一符号的所述交替期间脉冲控制所述第二场效应晶体管；以及在所述第二符号的所述交替期间脉冲控制所述第一场效应晶体管。9.根据权利要求7所述的变换器，其中在DC-AC变换模式下，所述控制电路还：在所述第一符号的所述交替期间脉冲控制所述第一场效应晶体管；以及在所述第二符号的所述交替期间脉冲控制所述第二场效应晶体管。10.一种控制能够在AC-DC变换模式和DC-AC变换模式下操作变换器的方法，其中所述变换器包括在与DC电压相关联的端子之间第一串联耦合的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管、在与所述DC电压相关联的所述第一端子和所述第二端子之间第二串联耦合的第一三端双向可控硅开关元件和第二三端双向可控...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·贝纳布德拉兹，C·雷蒙，D·儒弗，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR