一种可控硅动态无功补偿装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种可控硅动态无功补偿装置，主要包括主控制器，以及分别与所述主控制器连接的驱动器、控制芯片和电流电压检测装置；所述控制芯片，分别与驱动器和电流电压检测装置连接。本实用新型专利技术所述可控硅动态无功补偿装置，可以克服现有技术中补偿精度低、操作过程繁琐和稳定性差等缺陷，以实现补偿精度高、操作过程简洁和稳定性好的优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及动态无功补偿
，具体地，涉及一种可控硅动态无功补偿装置。
技术介绍
目前，国内大量应用的配电线路无功补偿装置多数是整组人工投切方式，这类装置只能做到高负荷时投入、低负荷时切除，不能随着负荷的变化以及对无功功率的需求及时自动进行相应的调整，更不能实现电压无功补偿综合自动调节。由于是人工操作，有可能造成无功功率的欠补和过补。欠补偿会影响电能质量增加损耗，而过补偿即无功倒送会危及系统运行的稳定性和安全性。一般为防止过补偿通常装设容量较·小，从而使线路长期处于欠补状态，因此整组补偿的精度低。另外，用电负荷经常变动的工矿企业，以及对无功需求不断变化的场合，均需要有自动调节装置来实现动态电压控制和无功补偿。然而，现有电网的综合自动控制还不能很好地满足无功功率自动补偿的特殊要求。在无功补偿装置上，大量的装置采用采集任选一相的无功信号或是一相电流另两相电压得出的无功信号并以此作为投切容量的依据，但这种方式只适用于以三相动力为主的配电区，它可能会对非采样相造成过补或是欠补。在投切容量的确定方面，往往以功率因数为参考，电容器分组投切，当功率因数滞后时，则投入一组电容器；当有超前的无功分量时，则切除一组电容器；按步投切电容器，无功补偿的精度不高。这些装置常因为电容器容量级差大而投切精度低或是频繁投切。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术中至少存在补偿精度低、操作过程繁琐和稳定性差等缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于，针对上述问题，提出一种可控硅动态无功补偿装置，以实现补偿精度高、操作过程简洁和稳定性好的优点。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是一种可控硅动态无功补偿装置，主要包括主控制器，以及分别与所述主控制器连接的驱动器、控制芯片和电流电压检测装置；所述控制芯片，分别与驱动器和电流电压检测装置连接。进一步地，所述主控制器，主要包括三相电抗器、三相接触器和三相可控硅，所述三相接触器和三相电抗器串行连接，所述三相可控硅和三相接触器并行连接。进一步地，所述驱动器，主要包括可控硅触发电路；所述可控硅触发电路，与所述三相可控硅配合连接。进一步地，所述控制芯片包括型号为TMS320LF2407的数字信号处理芯片。本技术各实施例的可控硅动态无功补偿装置，由于主要包括主控制器，以及分别与主控制器连接的驱动器、控制芯片和电流电压检测装置；控制芯片，分别与驱动器和电流电压检测装置连接；可以提高无功补偿装置精度，并满足无功功率自动补偿的特殊要求；从而可以克服现有技术中补偿精度低、操作过程繁琐和稳定性差的缺陷，以实现补偿精度高、操作过程简洁和稳定性好的优点。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中图1为本技术可控硅动态无功补偿装置的工作原理示意图；图2为本技术可控硅动态无功补偿装置中主控制器的电路原理示意图；图3为本技术可控硅动态无功补偿装置中主控制器的工作流程示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。根据本技术实施例，如图1-图3所示，提供了 一种可控硅动态无功补偿装置。参见图1，本实施例的可控硅动态无功补偿装置，主要包括主控制器，以及分别与所述主控制器连接的驱动器、控制芯片和电流电压检测装置；所述控制芯片，分别与驱动器和电流电压检测装置连接。可见，该可控硅动态无功补偿装置，包括控制芯片、主控制器、以及介于控制芯片和主控制器之间的电流电压检测装置与驱动器及其相应的软件。软件采用C语言进行编程，整体的控制程序能够完成三相负载电压、电流的采样、计算无功电流、输出控制角、输出控制状态等功能，同时由于PCI板卡中断源数量的限制，系统能够合理的安排程序流程，以保证程序的稳定性和可靠性。参见图2，上述主控制器，主要包括三相电抗器、三相接触器和三相可控硅，所述三相接触器和三相电抗器串行连接，所述三相可控硅和三相接触器并行连接。驱动器，主要包括可控硅触发电路；所述可控硅触发电路，与所述三相可控硅配合连接。控制芯片包括型号为TMS320LF2407的数字信号处理芯片。这里，驱动器采用接触器和可控硅驱动电路，用以驱动接触器和可控硅。控制芯片采用美国德州仪器公司(TI)的数字信号处理TMS320LF2407，实现对模拟负载电流的补偿，其控制策略为检测负载无功功率来控制可控硅控制电抗器(TCR)产生相等的无功功率，从而使电源供给的无功功率为零，以达到功率因数校正并且改善电压调整的目的。在图2中，采用接触器(即三相接触器KM1、KM2和KM3)和晶闸管(即三相可控硅SCR1、SCR2和SCR3)相结合来控制电容器(即三相电抗器，由电容C1、C2和C3构成)的投切问题。既充分利用了晶闸管的电压过零投入、电流过零切除、开关无触点等优点也充分利用了接触器触点的导通功耗低、导通容量大、工作安全等特点。参见图3，上述实施例可控硅动态无功补偿装置的工作流程主要包括主控制器上电后首先进行初始化和系统自检等工作，再在电网中采集到三相的电压和电流的瞬时数据，然后经控制芯片(TMS320LF2407)处理计算出电网电压、电流、功率因数、无功功率、有功功率等参数，存储并送到显示电路由显示器显示，同时根据现场的实际情况通过键盘设置参数控制电容器的投切。综上所述，本技术上述各实施例的可控硅动态无功补偿装置，包括控制芯片、主控制器、以及介于控制芯片和主控制器之间的电流电压检测装置与驱动器及其相应的软件。所述主控制器主要由可控硅控制电抗器(TCR)、可控硅触发电路、接触器和可控硅等构成；所述控制芯片采用美国德州仪器公司(TI)的数字信号处理TMS320LF2407，实现对模拟负载电流的补偿，其控制策略为检测负载无功功率来控制可控硅控制电抗器(TCR)产生相等的无功功率，从而使电源供给的无功功率为零，以达到功率因数校正并且改善电压调整的目的；所述驱动器采用接触器和可控硅驱动电路，用以驱动接触器和可控硅；所述软件采用C语言进行编程，整体的控制程序能够完成三相负载电压、电流的采样、计算无功电流、输出控制角、输出控制状态等功能，同时由于PCI板卡中断源数量的限制，系统能够合理的安排程序流程，以保证程序的稳定性和可靠性。最后应说明的是以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅动态无功补偿装置，其特征在于，主要包括主控制器，以及分别与所述主控制器连接的驱动器、控制芯片和电流电压检测装置；所述控制芯片，分别与驱动器和电流电压检测装置连接。

【技术特征摘要】
1.一种可控硅动态无功补偿装置，其特征在于，主要包括主控制器，以及分别与所述主控制器连接的驱动器、控制芯片和电流电压检测装置；所述控制芯片，分别与驱动器和电流电压检测装置连接。2.根据权利要求1所述的可控硅动态无功补偿装置，其特征在于，所述主控制器，主要包括三相电抗器、三相接触器和三相可控硅，所述三相接触器和三相电抗器串...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴伟，郭亮，陈芳，何艳荣，李保鹏，
申请(专利权)人：新疆希望电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：