一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法技术

一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明专利技术属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备、结构陶瓷领域，特别是涉及一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明专利技术是要解决现有SiC纳米线力学性能及吸波性能低的问题方法：一、前处理：裁剪碳纤维布，分别用无水乙醇和氢氧化钠浸泡处理，冲洗干燥得前处理后碳纤维布；二、浸渍处理：前处理后碳纤维布在催化剂溶液中浸渍、干燥后得负载催化剂的碳布原料；三、烧结：将负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源，以惰性气体作为保护气，烧结，冷却至室温，得到试管刷状SiC纳米线。本发明专利技术用于制备具有优异力学性能、优良吸波性能的新型试管刷形貌的碳化硅纳米线。

【技术实现步骤摘要】
一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法
本专利技术属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备、结构陶瓷领域，特别是涉及一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。
技术介绍
作为宽带隙(2.3eV)的碳化硅(SiC)是具有一系列优异性能的半导体材料，具有高热传导率、低热膨胀系数、高机械性能、耐腐蚀和抗氧化性、良好的热稳定性和化学稳定性等。碳化硅目前已应用于汽车、航空航天、化工、石油钻探、雷达、高温的辐射环境等领域。SiC陶瓷材料由大量共价键结合而成，具有强度高的优点，但是共价键的方向性使其脆性大，导致传统SiC材料普遍存在韧性低的缺点。
技术实现思路
本专利技术是要解决现有SiC纳米线力学性能及吸波性能低的问题，而提供一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本专利技术一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法具体是按以下步骤完成的：一、前处理：按实际需要裁剪碳纤维布，然后先采用无水乙醇浸泡，再采用质量分数为1～30％的氢氧化钠溶液浸泡，然后冲洗干净，干燥后得到前处理后的碳纤维布；二、浸渍处理：将前处理后的碳纤维布浸渍在催化剂溶液中，干燥后得到负载催化剂的碳纤维布原料；三、烧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法，其特征在于一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法具体是按以下步骤完成的：一、前处理：按实际需要裁剪碳纤维布，然后先采用无水乙醇浸泡，再采用质量分数为1～30％的氢氧化钠溶液浸泡，然后冲洗干净，干燥后得到前处理后的碳纤维布；二、浸渍处理：将前处理后的碳纤维布浸渍在催化剂溶液中，干燥后得到负载催化剂的碳纤维布原料；三、烧结：在负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源，以惰性气体作为保护气进行烧结，冷却至室温，即得到试管刷状SiC纳米线。

【技术特征摘要】
1.一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法，其特征在于一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法具体是按以下步骤完成的：一、前处理：按实际需要裁剪碳纤维布，然后先采用无水乙醇浸泡，再采用质量分数为1～30％的氢氧化钠溶液浸泡，然后冲洗干净，干燥后得到前处理后的碳纤维布；二、浸渍处理：将前处理后的碳纤维布浸渍在催化剂溶液中，干燥后得到负载催化剂的碳纤维布原料；三、烧结：在负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源，以惰性气体作为保护气进行烧结，冷却至室温，即得到试管刷状SiC纳米线。2.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法，其特征在于步骤一中所述碳纤维布中碳纤维的直径为1～15μm。3.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法，其特征在于步骤一中无水乙醇的浸泡时间为0.2～5h，质量分数为1～30％的氢氧化钠溶液的浸泡时间为0.2～5h。4.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法，其特征在于步骤二中所述催化剂溶液为氯化镍溶液、硫酸镍溶液、硝酸镍溶液、乙酸镍溶液、氨基磺酸镍溶液或柠檬酸镍溶液；所述催化剂溶液的浓度为0.1～1.0mol/L。5.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法，其特征在于步骤二中所述浸渍的时间为0.2～4h。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志江，兰晓琳，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23