一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法技术

本发明专利技术公开了属于化学机械平坦化工艺技术领域中的一种可用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法。本发明专利技术抛光垫包括一基体层，所述基体层上设有一柔性纳米刷层。首先制备模板，再将聚合物溶液涂在基体层上，然后将模板上的纳米结构转移到基体层上，得到本发明专利技术的纳米刷抛光垫。本发明专利技术所述抛光垫与现有技术相比最突出的优势是具有柔性纤维结构，和被抛光表面在柔性接触下，实现材料去除，能最大程度上解决现有化学机械平坦化技术中遇到的应力问题，适用于超低压力下的ＣＭＰ。此外还可以解决较硬抛光垫出现的划痕、过抛、蝶形和侵蚀等缺陷问题，获得更高质量的被抛光表面。本发明专利技术所述的抛光垫制作方法简单，工艺过程可控性好，抛光性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域中的化学机械平坦化工艺，尤其是一种可用 于化学机械平坦化的抛光垫，更具体而言，本专利技术涉及一种用于化学机械平坦化的抛光垫 及其制造方法。
技术介绍
化学机械平坦化(ChemicalMechanical Planarization/Polishing，简称 CMP)， 被认为是目前实现全局平面化的最有效方法。CMP作为一种古老的工艺最初被用来抛光玻 璃，20世纪80年代，IBM首次将CMP应用到微电子制造工艺中SiO2的抛光，自那时起便得 到了非常迅速的发展，目前CMP的应用已经扩展到金属(如Al、Cu、Ti、Ta、W等)、电介质 (如Si02、Si3N4、各种Low-k材料等)、多晶硅、陶瓷、磁盘、磁头以及MEMS等。图1为一种典型的化学机械平坦化示意图。如图1所示，在传统的化学机械平坦 化工艺中，抛光头1提供负载，携带晶圆4压在抛光垫6上，含有磨料和化学剂的抛光液9 被供应到抛光垫6表面。晶圆4和抛光垫6之间通过自身的旋转和抛光头的横向移动，利 用晶圆4的被抛光表面与抛光垫6和抛光液9中磨料之间的机械作用，以及与抛光液9之 间的化学作用，实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械平坦化的抛光垫，其特征在于：所述抛光垫包括一基体层（１２），所述基体层（１２）上设有一柔性纳米刷层（１１），所述柔性纳米刷层（１１）工作表面具有如下特征的柔性纤维（１０）：直径：１ｎｍ～１０μｍ；间距：１ｎｍ～１０μｍ；长度：１００ｎｍ～１０００μｍ；长径比：１∶１０～１００００∶１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雒建斌，韩桂全，刘宇宏，路新春，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]