一种用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法技术

本发明专利技术公开了属于化学机械平坦化工艺技术领域中的一种可用于化学机械平坦化的抛光垫及其制造方法。本发明专利技术抛光垫包括一基体层，所述基体层上设有一柔性纳米刷层。首先制备模板，再将聚合物溶液涂在基体层上，然后将模板上的纳米结构转移到基体层上，得到本发明专利技术的纳米刷抛光垫。本发明专利技术所述抛光垫与现有技术相比最突出的优势是具有柔性纤维结构，和被抛光表面在柔性接触下，实现材料去除，能最大程度上解决现有化学机械平坦化技术中遇到的应力问题，适用于超低压力下的ＣＭＰ。此外还可以解决较硬抛光垫出现的划痕、过抛、蝶形和侵蚀等缺陷问题，获得更高质量的被抛光表面。本发明专利技术所述的抛光垫制作方法简单，工艺过程可控性好，抛光性能稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域中的化学机械平坦化工艺，尤其是一种可用 于化学机械平坦化的抛光垫，更具体而言，本专利技术涉及一种用于化学机械平坦化的抛光垫 及其制造方法。
技术介绍
化学机械平坦化(ChemicalMechanical Planarization/Polishing，简称 CMP)， 被认为是目前实现全局平面化的最有效方法。CMP作为一种古老的工艺最初被用来抛光玻 璃，20世纪80年代，IBM首次将CMP应用到微电子制造工艺中SiO2的抛光，自那时起便得 到了非常迅速的发展，目前CMP的应用已经扩展到金属(如Al、Cu、Ti、Ta、W等)、电介质 (如Si02、Si3N4、各种Low-k材料等)、多晶硅、陶瓷、磁盘、磁头以及MEMS等。图1为一种典型的化学机械平坦化示意图。如图1所示，在传统的化学机械平坦 化工艺中，抛光头1提供负载，携带晶圆4压在抛光垫6上，含有磨料和化学剂的抛光液9 被供应到抛光垫6表面。晶圆4和抛光垫6之间通过自身的旋转和抛光头的横向移动，利 用晶圆4的被抛光表面与抛光垫6和抛光液9中磨料之间的机械作用，以及与抛光液9之 间的化学作用，实现晶圆4表面材料的去除和平坦化。现有技术中的典型抛光垫是多孔聚 氨酯型抛光垫，采用复杂的发泡工艺制作而成，如Rohm & Haas的IC1000 抛光垫，且可以 包括可压缩的衬垫,如Rohm & Haas的SUBA IV。化学机械平坦化技术的目的一般有两个，其一是使被抛光表面在较高速度下实现 材料去除，其二是获得较高质量的表面。但是使用现有技术中的化学机械抛光垫通常会使 被抛光表面出现过抛、划痕、蝶形凹陷和侵蚀等问题。随着集成电路线宽特征尺寸的不断降低和集成度的不断提高，对化学机械平坦化 技术提出了更高的要求。特征尺寸的不断减小，由尺寸效应引起阻容迟滞(RC delay)成指 数关系快速上升，这意味着芯片的速度随集成度的提高而变缓，为了解决这一问题，学者们 提出用铜金属作为导线材料以减小电阻，用Low-k材料做电介质以降低导线间电容，但铜 导线与Low-k材料的弹性模量之比高达15 60 1，传统CMP技术中使用硬度较大的抛光 垫，势必会破坏铜导线和Low-k电介质，因此需要研制新型的柔性抛光垫，在超低应力下实 现材料去除。中国专利200680003086. 7公开了一种用于低压研磨的研磨垫(即抛光垫)，通过 调节抛光垫研磨层和背衬层的厚度和硬度，使研磨表面在小于等于1. 5psi的压力下偏斜， 且使偏斜程度大于研磨层厚度的不均勻度，以此获得高质量的表面，但这种研磨垫与传统 的抛光垫没有本质上区别，不能克服传统抛光垫的固有缺陷。中国专利200680012730. 7公 开了一种依据抛光规范如被抛光材料、芯片结构等而定制的抛光垫，但这种抛光垫制作过 程复杂，且需要大量的经验数据才有可能投入应用。
技术实现思路
本专利技术针对现有化学机械平坦化技术中会出现的划痕、过抛、蝶形和侵蚀等缺陷 尤其是应力问题以及抛光垫制作过程复杂等问题，提出了一种新型的柔性纳米刷抛光垫及 其制造方法。该抛光垫制作工艺简单，抛光性能稳定，抛光后被加工表面质量高。一种用于化学机械平坦化的抛光垫，其特征在于所述抛光垫包括一基体层，所述 基体层上设有一柔性纳米刷层，所述柔性纳米刷层工作表面具有如下特征的柔性纤维直径Inm 10 μ m ；间距lnm ΙΟμπι;长度100nm ΙΟΟΟμπι ；长径比1 10 10000 1。所述的柔性纳米刷层中的柔性纤维轴向与工作表面间夹角在20° 160°之间。 优选柔性纤维轴向与工作表面间夹角为90°或趋于90°。所述的柔性纤维具有较大的柔性。所述的柔性纤维具有线状、带状或管状结构。所述的抛光垫根据需要可在基体层底部附上弹性衬底层。即本专利技术的纳米刷抛光 垫至少包括柔性纳米刷层和基体层，必要时还可以在基体层底部附上弹性衬底层。所述的抛光垫工作表面根据需要加工有适于抛光液流动的沟槽或孔洞。所述的柔性纳米刷层由热塑性或热固性聚合物制成，所述的热塑性聚合物材料选 自聚烯烃、聚酰胺、聚酯、热塑性聚氨酯、聚氯乙烯和聚醚中的一种或几种的混合物，所述的 热固性聚合物材料选自酚醛树脂、尿醛树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯、热固性 聚氨酯和有机硅中的一种或几种的混合物，优选聚氨酯。一种用于化学机械平坦化的抛光垫的制造方法，其特征在于包含以下步骤(1)制作用于形成柔性纳米刷的模板，所述的用于形成柔性纳米刷的模板，具有如 下特征的孔洞直径lnm ΙΟμπι;间距lnm ΙΟμπι;深度IOOnm 1000 μ m ；深宽比1 10 10000 1 ；孔洞轴向与模板表面间夹角在20° 160°之间；优选孔洞轴向垂直于或趋于垂 直于模板表面；(2)准备刚性聚合物基体作为基体层；(3)准备用来制作柔性纳米刷的聚合物混合液，可将聚合物原料和固化剂或溶剂 以及其它助剂按比例混合均勻；(4)将准备好的聚合物混合液涂在刚性聚合物基体上，采用现有技术中的纳米结 构成型方法将模板上的纳米结构转移到刚性聚合物基体表面；(5)去除或分离模板，在基体层上形成具有柔性纤维的柔性纳米刷层，得到柔性纳 米刷抛光垫。所述的刚性聚合物基体为市售的厚度和均勻性良好的聚合物板材，优选其硬度在 40 80邵氏D之间。必要时在基体层底部粘贴上一层弹性衬底层。所述的弹性衬底层为市售的低密度 多孔泡沫或聚合物纤维毡，其硬度低于基体层硬度，优选在30 80邵氏A之间。必要时在步骤(2)准备的基体层上预先加工出沟槽或孔洞，或在步骤(5)抛光垫 成型后再加工出沟槽或孔洞。所述的沟槽或孔洞可采用现有技术加工而成，如切削、激光加 工、热压、滚花或压印等，优选为切削加工。所述的模板材料为硅、氧化铝、金属材料(包括铝、铜、钢等)或有机材料(包括醋 酸纤维素、聚碳酸酯、芳香族聚酰胺、聚醚砜、聚偏氟乙烯等)，采用现有技术中的刻蚀、阳极 氧化、径迹蚀刻或激光微加工等方法加工而成。所述的模板去除或剥离方法是现有技术中 的剥离脱模、加热熔化、溶解或腐蚀等。所述用来制作柔性纳米刷的聚合物为热塑性或热固性聚合物，所述的热塑性聚合 物材料选自聚烯烃、聚酰胺、聚酯、热塑性聚氨酯、聚氯乙烯和聚醚中的一种或几种的混合 物，所述的热固性聚合物材料选自酚醛树脂、尿醛树脂、三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚 酯、热固性聚氨酯和有机硅中的一种或几种的混合物，优选为聚氨酯。本专利技术的有益效果为本专利技术所述抛光垫与现有技术相比最突出的优势是具有柔 性纤维结构，和被抛光表面在柔性接触下，实现材料去除，能最大程度上解决现有化学机械 平坦化技术中遇到的应力问题，适用于超低压力下的CMP。此外还可以解决较硬抛光垫出现 的划痕、过抛、蝶形和侵蚀等缺陷问题，获得更高质量的被抛光表面。本专利技术所述的抛光垫 制作方法简单，工艺过程可控性好，抛光性能稳定。附图说明图1为一种典型的化学机械平坦化示意图；图2为本专利技术柔性纳米刷抛光垫无沟槽实施例的示意图；图3为本专利技术柔性纤维与抛光垫工作表面间夹角示意图；图4为本专利技术实施例2中的沟槽参数图；图5为本专利技术柔性纳米刷抛光垫有沟槽实施例的示意图(主视图)； 图6为图4对应的俯视本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械平坦化的抛光垫，其特征在于：所述抛光垫包括一基体层（１２），所述基体层（１２）上设有一柔性纳米刷层（１１），所述柔性纳米刷层（１１）工作表面具有如下特征的柔性纤维（１０）：直径：１ｎｍ～１０μｍ；间距：１ｎｍ～１０μｍ；长度：１００ｎｍ～１０００μｍ；长径比：１∶１０～１００００∶１。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雒建斌，韩桂全，刘宇宏，路新春，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]