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一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备、结构陶瓷领域，特别是涉及一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明是要解决现有SiC纳米线力学性能及吸波性能低的问题方法：一...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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