3D-NAND闪存的形成方法技术

一种3D‑NAND闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成复合介质层，复合介质层包括交错层叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；在复合介质层中形成沟道孔；在沟道孔的侧壁形成沟道牺牲层；在沟道孔中形成沟道复合层，沟道复合层位于沟道牺牲层的表面；之后去除牺牲层，形成第一开口；刻蚀第一开口侧部的沟道牺牲层直至暴露出沟道复合层，形成第二开口；在第二开口中形成导电层。所述方法提高了3D‑NAND闪存的性能。

【技术实现步骤摘要】
3D-NAND闪存的形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种3D-NAND闪存的形成方法。
技术介绍
快闪存储器(FlashMemory)又称为闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NORFlashMemory)和与非门闪存(NANDFlashMemory)。相比NORFlashMemory，NANDFlashMemory能提供及高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也更快。随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维(3D)闪存应用而生，例如3D-NAND闪存。然而，现有技术中形成的3D-NAND闪存的性能有待提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种3D-NAND闪存的形成方法，以提高3D-NAND闪存的性能。为解决上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D‑NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成复合介质层，所述复合介质层包括交错层叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；在所述复合介质层中形成沟道孔；在所述沟道孔的侧壁形成沟道牺牲层；在所述沟道孔中形成沟道复合层，所述沟道复合层位于沟道牺牲层的表面；形成所述沟道牺牲层和沟道复合层后，去除牺牲层，形成第一开口；刻蚀第一开口侧部的沟道牺牲层直至暴露出沟道复合层，形成第二开口；在第二开口中形成导电层。

【技术特征摘要】
1.一种3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成复合介质层，所述复合介质层包括交错层叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；在所述复合介质层中形成沟道孔；在所述沟道孔的侧壁形成沟道牺牲层；在所述沟道孔中形成沟道复合层，所述沟道复合层位于沟道牺牲层的表面；形成所述沟道牺牲层和沟道复合层后，去除牺牲层，形成第一开口；刻蚀第一开口侧部的沟道牺牲层直至暴露出沟道复合层，形成第二开口；在第二开口中形成导电层。2.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述沟道牺牲层的材料和所述牺牲层的材料不同；所述沟道牺牲层的材料为氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或高K介质材料。3.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述沟道牺牲层的厚度占据所述沟道孔的孔径的2％～30％。4.根据权利要求3所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述沟道孔的孔径为50纳米～500纳米；所述沟道牺牲层的厚度为1纳米～50纳米。5.根据权利要求1所述的3D-NAND闪存的形成方法，其特征在于，所述沟道孔的深宽比为10:1～1000:1...

【专利技术属性】
技术研发人员：华文宇，刘藩东，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42