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一种3D‑NAND闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成复合介质层，复合介质层包括交错层叠的若干层绝缘层和若干层牺牲层；在复合介质层中形成沟道孔；在沟道孔的侧壁形成沟道牺牲层；在沟道孔中形成沟道复合层，沟道复合层位于沟道牺...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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