谐振装置制造方法制造方法及图纸

不损害谐振子的压电性而进行谐振频率的调整。包括：准备下盖的工序；将基板配置为该基板的下面与上述下盖对置，并在基板的上面依次形成第一电极层、压电膜以及第二电极层的工序；由第一电极层、第二电极层以及压电膜形成进行弯曲振动的振动臂，形成具有该振动臂的谐振子的工序；以及将上盖配置为隔着谐振子与下盖对置的工序，在配置上盖的工序之前或者之后，还包括通过在第一电极层与第二电极层之间施加电压，使振动臂激励，使该振动臂的一部分与下盖以及上述上盖的至少一方碰撞，来调整谐振子的频率的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】谐振装置制造方法
本专利技术涉及谐振装置的制造方法。
技术介绍
以往，使用MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微机电系统)技术的谐振装置例如被用作定时设备。该谐振装置安装在组入智能手机等电子设备内的印刷电路基板上。谐振装置具备下侧基板、在与下侧基板之间形成空腔的上侧基板以及在下侧基板和上侧基板之间配置在空腔内的谐振子。例如在专利文献1公开了能够将对硅材料、其周边的构成要素的损伤抑制到最小限度，并使激光透过硅材料照射到其前面的对象物的激光的照射方法、以及使用了该照射方法的压电振子的频率调整方法。在专利文献1所记载的方法中，通过向电子部件的封装的硅材料区域照射脉冲宽度为50～1000fs的脉冲激光并使其透过、和向压电振子照射透过的激光来调整压电振子的谐振频率。专利文献1：国际公开第2011/043357号公报在专利文献1所记载的那样的以往的频率调整方法中，在照射激光时谐振子暴露于高热而损害压电性。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，目的在于不损害谐振子的压电性而进行谐振频率的调整。本专利技术的一方面所涉及的谐振装置制造方法包括：准备下盖的工序；将基板配置成该基板的下面与上述下盖对置，并在基板的上面依次形成第一电极层、压电膜以及第二电极层的工序；由第一电极层、第二电极层以及压电膜形成进行弯曲振动的振动臂，形成具有该振动臂的谐振子的工序；以及将上盖配置成隔着谐振子与下盖对置的工序，在配置上盖的工序之前或者之后，还包括通过在第一电极层与第二电极层之间施加电压，使振动臂激励，使该振动臂的一部分与下盖以及上述上盖的至少一方碰撞，来调整谐振子的频率的工序。根据本专利技术，能够不损害谐振子的压电性而进行谐振频率的调整。附图说明图1是示意地表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的外观的立体图。图2是示意地表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的结构的分解立体图。图3是取下了上侧基板的本专利技术的第一实施方式所涉及的谐振子的俯视图。图4是表示本专利技术的实施方式所涉及的振动臂的前端的样子的照片。图5是沿着图1的AA′线的剖视图。图6A是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。图6B是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。图6C是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。图6D是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。图6E是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。图6F是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。图6G是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。图6H是表示本专利技术的实施方式所涉及的谐振装置的工艺流程的一个例子的图。具体实施方式[实施方式]以下，参照附图对本专利技术的一个实施方式进行说明。图1是示意地表示本专利技术的第一实施方式所涉及的谐振装置1的外观的立体图。另外，图2是示意地表示本专利技术的第一实施方式所涉及的谐振装置1的结构的分解立体图。该谐振装置1具备谐振子10和设置为隔着谐振子10相互对置的盖体(上盖30以及下盖20)。即，谐振装置1通过依次层叠下盖20、谐振子10以及上盖30而构成。另外，谐振子10与下盖20以及上盖30接合，由此，谐振子10被密封，形成谐振子10的振动空间。谐振子10、下盖20以及上盖30分别使用Si基板形成。而且，通过相互接合Si基板彼此以使谐振子10、下盖20以及上盖30相互接合。也可以使用SOI基板形成谐振子10以及下盖20。谐振子10是使用MEMS技术制造的MEMS谐振子。此外，在本实施方式中，以使用硅基板形成谐振子10为例进行说明。以下，对谐振装置1的各构成进行详细说明。(1.上盖30)上盖30具有沿着XY平面设置的矩形平板状的底板32和从底板32的周边部向Z轴方向(即，上盖30与谐振子10的层叠方向)延伸的侧壁33。在上盖30，在与谐振子10对置的面设置有通过底板32的表面与侧壁33的内面形成的凹部31。凹部31形成谐振子10进行振动的空间亦即振动空间的一部分。(2.下盖20)下盖20具有沿着XY平面设置的矩形平板状的底板22和从底板22的周边部向Z轴方向(即，下盖20与谐振子10的层叠方向)延伸的侧壁23。在下盖20，在与谐振子10对置的面设置有通过底板22的表面和侧壁23的内面形成的凹部21。凹部21形成谐振子10的振动空间的一部分。通过上述的上盖30和下盖20，气密地密封该振动空间，维持真空状态。也可以在该振动空间例如填充有惰性气体等气体。(3.谐振子10)图3是示意地表示本实施方式所涉及的谐振子10的结构的俯视图。使用图3对本实施方式所涉及的谐振子10的各构成进行说明。谐振子10具备振动部120、保持部140以及保持臂110。(a)振动部120振动部120具有沿着图3的正交坐标系中的XY平面扩展的矩形的轮廓。振动部120设置在保持部140的内侧，在振动部120与保持部140之间以规定的间隔形成有空间。在图3的例子中，振动部120具有基部130和四个振动臂135A～135D(也统一称为“振动臂135”。)。此外，振动臂的数目并不限定于四个，例如设定为一个以上的任意的数目。在本实施方式中，一体地形成各振动臂135与基部130。基部130在俯视时，在X轴方向具有长边131a、131b，在Y轴方向具有短边131c、131d。长边131a是基部130的前端的面131A(以下，也称为“前端131A”。)的一个边，长边131b是基部130的后端的面131B(以下，也称为“后端131B”。)的一个边。在基部130，前端131A与后端131B设置为相互对置。基部130在前端131A，与后述的振动臂135连接，在后端131B，与后述的保持臂110连接。此外，在图3的例子中在俯视时，基部130具有大致长方形的形状，但并不限定于此，只要相对于沿着长边131a的垂直二等分线规定的虚拟平面P大致面对称地形成即可。基部130例如也可以是长边131b比131a短的梯形，或者以长边131a为直径的半圆的形状。另外，长边131a、131b、短边131c、131d并不限定于直线，也可以是曲线。在基部130中，从前端131A朝向后端131B的方向上的、前端131A与后端131B的最长距离亦即基部长(在图3中是短边131c、131d的长度)为40μm左右。另外，在与基部长方向正交的宽度方向，基部131的侧端彼此的最长距离亦即基部宽度(在图3中是长边131a、131b的长度)为300μm左右。振动臂135在Y轴方向延伸，且分别具有相同的尺寸。振动臂135分别在基部130与保持部140之间与Y轴方向平行地设置，且一端与基部130的前端131A连接成为固定端，另一端成为开放端。另外，分别以规定的间隔在X轴方向并排地设置振动臂135。此外，振动臂135例如X轴方向的宽度为50μm左右，Y轴方向的长度为450μm左右。在本实施方式的振动部120中，在X轴方向，在外侧配置两个振动臂135A、135D，在内侧配置两个振动臂135B、135C。X轴方向上的振动臂135B与135C的间隔W1被设定为比X轴方向上的外侧的振动臂135A(135D)与和该外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种谐振装置制造方法，其中，包括：准备下盖的工序；将基板配置成该基板的下面与上述下盖对置，并在上述基板的上面依次形成第一电极层、压电膜以及第二电极层的工序；由上述第一电极层、上述第二电极层以及上述压电膜形成进行弯曲振动的振动臂，并形成具有该振动臂的谐振子的工序；以及将上盖配置成隔着上述谐振子与上述下盖对置的工序，在配置上述上盖的工序之前或者之后，还包括通过在上述第一电极层与上述第二电极层之间施加电压，来使上述振动臂激励，并使该振动臂的一部分与上述下盖以及上述上盖的至少一方碰撞，从而调整上述谐振子的频率的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.08 JP 2016-1146621.一种谐振装置制造方法，其中，包括：准备下盖的工序；将基板配置成该基板的下面与上述下盖对置，并在上述基板的上面依次形成第一电极层、压电膜以及第二电极层的工序；由上述第一电极层、上述第二电极层以及上述压电膜形成进行弯曲振动的振动臂，并形成具有该振动臂的谐振子的工序；以及将上盖配置成隔着上述谐振子与上述下盖对置的工序，在配置上述上盖的工序之前或者之后，还包括通过在上述第一电极层与上述第二电极层之间施加电压，来使上述振动臂激励，并使该振动臂的一部分与上述下盖以及上述上盖的至少一方碰撞，从而调整上述谐振子的频率的工序。2.根据权利要求1所述的谐振装置制造方法，其中，进行上述调整的工序包括在配置上述上盖的工序之后进行，使上述振动臂的一部分与上述下盖以及上述上盖的至少一方碰撞的工序。3.根据权利要求2所述的谐振装置制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛永俊吾，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP