体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法技术

本公开提供一种体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法，所述体声波谐振器包括：基板，所述基板上设置有基板保护层；膜层，与所述基板一起形成腔；及谐振部，设置在所述膜层上。所述腔通过使用通过混合卤化物基气体和氧气而获得的混合气体去除牺牲层形成，并且在形成所述腔后，所述膜层和所述基板保护层中的至少一者具有170

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法本申请要求于2016年11月17日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0153015号和于2017年3月23日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0036661号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器及制造该体声波谐振器的方法。
技术介绍
由于移动通信装置、化学和生物装置等近来的发展，对于小型轻型滤波器、振荡器、谐振元件、声谐振质量传感器等的需求已经增大。已经开发出了用于实现这样的小型轻型滤波器、振荡器、谐振元件、声谐振质量传感器等的装置的薄膜体声波谐振器(FBAR)。这样的薄膜体声波谐振器具有如下有利的属性：它可以以相对低的成本进行量产并且可以被超小型化。此外，薄膜体声波谐振器可具有高的品质因数(Q)值(滤波器的主要性质)，可在微频段中使用，并且具体地，可在个人通信系统(PCS)和数字无线系统(DCS)的频带中实现。然而，在典型的薄膜体声波谐振器中，设置在滤波器中的谐振部一定仍然是大的，这会导致性能的劣化。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在具体实施方式中在下面进一步描述所述构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用来帮助确定所要求保护的主题的范围。示例提供一种可防止性能劣化的体声波谐振器以及制造该体声波谐振器的方法。在一个总体方面中，一种体声波谐振器包括：基板，所述基板上设置有基板保护层；膜层，与所述基板一起形成腔；及谐振部，设置在所述膜层上。所述腔通过使用通过混合卤化物基气体和氧气而获得的混合气体去除牺牲层形成，并且在形成所述腔后，所述膜层和所述基板保护层中的至少一者具有或更小的厚度差。在另一总体方面中，一种形成体声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板保护层上形成牺牲层；在所述基板保护层上形成膜层并且覆盖所述牺牲层；在所述膜层上形成谐振部；形成钝化层以覆盖所述谐振部；将所述钝化层图案化以暴露所述谐振部的部分；形成连接到所述谐振部的金属焊盘；及使用包括卤化物基气体和氧气的混合气体去除所述牺牲层，以形成腔。通过以下具体实施方式、附图和权利要求，其他特征和方面将是显而易见的。附图说明图1是示出体声波滤波器装置的示例的示意性截面图。图2是图1的A部的放大图。图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11和图12是示出制造图1的体声波滤波器装置的方法的工艺的示例的示图。图13是示出在制造图1的体声波滤波器装置的方法中使用的制造设备的示例的框图。图14是示出在制造图1的体声波滤波器装置的方法中使用的制造设备的第一变型的示例的框图。图15是示出在制造图1的体声波滤波器装置的方法中使用的制造设备的第二变型的示例的框图。在所有的附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明及便利起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式以帮助读者获得对这里所描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容后，这里所描述的方法、设备和/或系统的各种变化、修改及等同物将是显而易见的。例如，这里所描述的操作顺序仅仅是示例，其并不限于这里所阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，在理解本申请的公开内容后可做出将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略对于本领域已知的特征的描述。这里所描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于这里所描述的示例。更确切的说，提供这里所描述的示例仅仅为示出在理解本申请的公开内容后将是显而易见的实现这里所描述的方法、设备和/或系统的很多可行的方式中的一些方式。在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可以直接“位于”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件，或者可存在介于两者之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接位于”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可能不存在介于两者之间的其他元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个或任意两个或更多个的任意组合。尽管可在这里使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因而，在不脱离示例的教导的情况下，这里所描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分还可以被称为第二构件、组件、区域、层或部分。为了易于描述，这里可以使用诸如“在……上方”、“上部”、“在……下方”以及“下部”的空间相对术语来描述如图所示的一个元件与另一元件的关系。这些空间相对术语意图包含除了图中所描绘的方位以外装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则描述为相对于另一元件位于“上方”或“上部”的元件将随后相对于另一元件位于“下方”或“下部”。因而，术语“在……上方”根据装置的空间方位包括上方和下方两种方位。装置也可按照其他方式(例如，旋转90度或处于其他方位)定位，并且对这里使用的空间相对术语做出相应解释。这里使用的术语仅用于描述各种示例，并且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。由于制造技术和/或公差，会发生图中所示的形状的变化。因而，这里所描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括制造期间所发生的形状的变化。这里所描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管这里所描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容后将是显而易见的其他构造是可能的。图1是体声波滤波器装置的示例的示意性截面图，图2是图1的A部的放大图。参照图1和图2，体声波滤波器装置100包括基板110、膜层120、下电极130、压电层140、上电极150、钝化层160和金属焊盘170。基板110可以是硅积聚基板。例如，硅晶圆被用作基板110。基板110设置有形成在其上并且被设置为面对腔C的保护层112。基板保护层112防止基板110在形成腔C时被损坏。作为示例，基板保护层112由包含氮化硅(Si3N4)或二氧化硅(SiO2)的材料形成。在腔C形成后，基板保护层112在有效区S中具有或更小的厚度差。在这种情况下，有效区S指的是下电极130、压电层140和上电极150的全部三层竖直地层压在其中的区域。谐振部指的是产生振动的区域，并且指的是与有效区S相对应的区域。换句话说，谐振部可包括下电极130、压电层140和上电极150。膜层120形成在牺牲层180(见图4至图9)上。通过去除牺牲层180，膜层120和基板保护层112形成腔C。膜层120可由与用于去除由硅基材料形成的牺牲层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种体声波谐振器，包括：基板保护层，设置在基板上；腔，由膜层和所述基板限定；及谐振部，设置在所述膜层上，其中：所述腔通过使用包括卤化物基气体和氧气的混合气体去除牺牲层而形成，并且在形成所述腔后，所述膜层和所述基板保护层中的一者或两者具有

【技术特征摘要】
2016.11.17 KR 10-2016-0153015;2017.03.23 KR 10-2011.一种体声波谐振器，包括：基板保护层，设置在基板上；腔，由膜层和所述基板限定；及谐振部，设置在所述膜层上，其中：所述腔通过使用包括卤化物基气体和氧气的混合气体去除牺牲层而形成，并且在形成所述腔后，所述膜层和所述基板保护层中的一者或两者具有或更小的厚度差。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述膜层和所述基板保护层中的任意一者或两者包括氮化硅或二氧化硅。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述谐振部包括：下电极，设置在所述膜层上；压电层，覆盖所述下电极的至少部分；及上电极，设置在所述压电层上。4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：钝化层，设置在除了所述上电极和所述下电极的部分之外的区域中，及金属焊盘，设置在所述上电极和所述下电极的没有设置所述钝化层的所述部分上。5.根据权利要求3所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：框架部，在有效区的边缘处设置在所述上电极上。6.一种形成体声波谐振器的方法，所述方法包括：在基板保护层上形成牺牲层；在所述基板保护层上形成膜层并且覆盖所述牺牲层；在所述膜层上形成谐振部；形成钝化层以覆盖所述谐振部；将所述钝化层图案化以暴露所述谐振部的部分；形成连接到所述谐振部的金属焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹湘基，朴炯哉，朴南洙，金钟云，李文喆，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR