半导体压缩成型用脱模片及使用其成型而成的半导体封装制造技术

一种半导体压缩成型用脱模片，其包含：含有粒子的脱模层、以及基材层，所述脱模层中的所述粒子的含有率为5体积％～65体积％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体压缩成型用脱模片及使用其成型而成的半导体封装
本专利技术涉及半导体压缩成型用脱模片及使用其成型而成的半导体封装。
技术介绍
半导体芯片通常为了与外部空气隔绝和进行保护而利用树脂进行密封，并以被称为封装的成型品的形式安装于基板上。以往，成型品成型为通过作为密封树脂的流路的流道而连结的每一个芯片的封装成型品。在该情况下，通过模具的结构、向密封树脂中添加脱模剂等，从而得到了成型品从模具的脱模性。另一方面，由于封装的小型化、多引脚化等要求，从而球栅阵列(BallGridArray，BGA)方式、四侧扁平无引脚(QuadFlatNon-leaded，QFN)方式、晶圆级芯片尺寸封装(WaferLevelChipSizePackage，WL-CSP)方式等封装增加。在QFN方式中，为了确保间隙(standoff)以及防止在端子部产生密封材毛刺，另外在BGA方式和WL-CSP方式中，为了提高封装从模具的脱模性，使用树脂制脱模膜(例如，参照日本特开2002-158242号公报)。将这样使用脱模膜的成型方法称为“膜辅助成型”。
技术实现思路
专利技术要解决的课题如果使用上述脱模膜，则在将半导体封装进行树脂成型时，能够使半导体封装的密封材与模具容易地脱模。但是，有可能成型后的封装表面外观不均一而观察到密封材的流痕、或在由脱模膜成型的半导体封装表面发生污染。另外，在BGA方式和WL-CSP方式中，随着成型方法从以往的传递模塑方式变更为压缩模塑方式，1次注射(shot)的大尺寸化发展，成型后的封装表面外观的均一性、密封材的流痕等的要求水平也逐渐变高。根据本专利技术的一个形态，提供一种半导体压缩成型用脱模片，在通过压缩模塑方式将半导体封装进行树脂成型时，该半导体压缩成型用脱模片能够在不对半导体封装造成损伤的情况下容易地使密封材与模具脱模，成型后的半导体封装表面外观的均一性优异，且能够减少在成型后的半导体封装表面上的来自脱模片的污染。另外，根据本专利技术的另一个形态，提供一种使用该半导体压缩成型用脱模片成型而成的半导体封装。用于解决课题的方法本专利技术包含下述形态。＜1＞一种半导体压缩成型用脱模片，其包含：含有粒子的脱模层、以及基材层，上述脱模层中的上述粒子的含有率为5体积％～65体积％。＜2＞根据＜1＞所述的半导体压缩成型用脱模片，上述粒子的平均粒径为1μm～55μm。＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的半导体压缩成型用脱模片，上述粒子为树脂粒子。＜4＞根据＜3＞所述的半导体压缩成型用脱模片，上述树脂粒子包含选自由丙烯酸树脂、聚烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚丙烯腈树脂以及硅树脂组成的组中的至少一种。＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的半导体压缩成型用脱模片，上述基材层为聚酯膜。＜6＞一种半导体封装，其是使用＜1＞～＜5＞中任一项所述的半导体压缩成型用脱模片成型而成。专利技术效果根据本专利技术的一个形态，提供一种半导体压缩成型用脱模片，在通过压缩成型将半导体封装成型时，该半导体压缩成型用脱模片能够在不对半导体封装造成损伤的情况下容易地使密封材与模具脱模，成型后的半导体封装表面外观的均一性优异，且能够减少在成型后的半导体封装表面上的来自脱模片的污染。另外，根据本专利技术的另一个形态，提供一种使用该半导体压缩成型用脱模片成型而成的半导体封装。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。但是，本专利技术不限于以下的实施方式。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示包含“～”前后所记载的数值分别作为最小值和最大值的范围。本说明书中，关于组合物中的各成分的量，在组合物中存在多种相当于各成分的物质的情况下，只要没有特别说明，就是指组合物中存在的该多种物质的合计量。本说明书中，“工序”不仅包含独立的工序，即使在与其他工序不能明确区分的情况下，只要能够实现该工序所期望的作用，则也包含在本用语中。本说明书中，关于“层”和“膜”，除了在以平面图的形式进行观察时形成于整面的形状的构成以外，也包含形成于一部分的形状的构成。本说明书中，“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”和“甲基丙烯酸”的至少一方，“(甲基)丙烯酸酯”是指“丙烯酸酯”和“甲基丙烯酸酯”的至少一方。另外，在本说明书中阶段性记载的数值范围中，一个数值范围所记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。另外，在本说明书中记载的数值范围中，其数值范围的上限值或下限值也可以替换为实施例所示的值。本说明书中，层或膜的平均厚度(也称为厚度的平均值)设为：对作为对象的层或膜的5点的厚度进行测定，以其算术平均值的形式获得的值。层或膜的厚度可以使用测微计等进行测定。在能够直接测定层或膜的厚度的情况下，使用测微计进行测定。另一方面，在测定一个层的厚度或多个层的总厚度的情况下，也可以使用电子显微镜，通过观察脱模片的截面来进行测定。本说明书中，“平均粒径”可以作为在通过激光衍射散射式粒度分布测定法得到的体积累积的粒度分布曲线中从小粒径侧开始的累积达到50％时的粒径(50％D)求出。例如，可以使用利用了激光散射法的粒径分布测定装置(例如，(株)岛津制作所，“SALD-3000”)进行测定。＜半导体压缩成型用脱模片＞半导体压缩成型用脱模片(以下，也称为“脱模片”)为包含含有粒子的脱模层和基材层，且脱模层中的粒子的含有率为5体积％～65体积％的半导体压缩成型用脱模片。更详细地说，脱模片具有如下的2层结构：在与半导体封装的树脂成型中使用的模具接触的基材层的一面具备与成型的半导体封装接触的脱模层。脱模片通过采用上述构成，从而在通过压缩成型将半导体封装成型时，能够在不对半导体封装造成损伤的情况下容易地使密封材和模具脱模，能够提高成型后的半导体封装表面外观的均一性，且减少在成型后的半导体封装表面上的来自脱模片的污染。其理由虽不明确，但如下推测。在将半导体封装成型时使用以往的脱模片的情况下，从抑制在成型的半导体封装上产生褶皱等形状不良的观点考虑，要求脱模片具有与成型用模具的形状充分一致那样的追随性。进一步，如果在从成型用模具取出半导体封装时施加过大的力，则半导体封装容易破损，因此也要求脱模片对半导体封装具有充分的脱模性。推测：本说明书的脱模片通过具有如下具有不同功能的两种层，从而能够在维持对成型用模具的追随性的同时，提高从成型的半导体封装的脱模性，所述两种层是指对半导体封装用的密封树脂(例如环氧树脂)的脱模性优异的脱模层和对成型用模具的追随性优异的基材层。进一步推测：在本说明书的脱模片中，通过脱模层以特定的含有率包含粒子，从而使脱模层的外表面(与半导体封装相对的面)变得粗糙，成型的半导体封装的表面变得粗糙，由此能够减少密封材的流痕，能够提高封装表面外观的均一性。另外，能够容易地选择粒子的粒径、形状等，容易调整脱模层的外表面的粗糙度的波动程度。进一步推测：在粒子为树脂粒子的情况下，由于树脂粒子与脱模层所含的其他成分的密合性优异，因此不易从脱模层脱落，能够抑制半导体封装的污染。[含有粒子的脱模层]脱模片包含含有粒子的脱模层(以下，也称为“特定脱模层”)，特定脱模层中的粒子的含有率为5体积％～65体积％。(粒子)脱模层所含的粒子的种类没有特别限制，可以为无机粒子和有机粒子中的任一种。作为无机粒子的材质，可列举氧化铝、氢氧化铝、氮化硼本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体压缩成型用脱模片，其包含：含有粒子的脱模层、以及基材层，所述脱模层中的所述粒子的含有率为5体积％～65体积％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体压缩成型用脱模片，其包含：含有粒子的脱模层、以及基材层，所述脱模层中的所述粒子的含有率为5体积％～65体积％。2.根据权利要求1所述的半导体压缩成型用脱模片，所述粒子的平均粒径为1μm～55μm。3.根据权利要求1或2所述的半导体压缩成型用脱模片，所述粒子为树脂粒子。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木雅彦，田村辽，池谷卓二，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP