封装件及其形成方法技术

一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯接合至衬底，以及用间隙填充材料填充第一器件管芯和第二器件管芯之间的间隙。间隙填充材料的顶部覆盖第一器件管芯和第二器件管芯。形成通孔以穿过间隙填充材料的顶部。通孔电连接至第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括使用镶嵌工艺在间隙填充材料上方形成再分布线，以及在再分布线上方形成电连接至再分布线的电连接件。本发明专利技术的实施例还涉及封装件及其形成方法。

Package and its forming method

One method includes joining the first device core and the second device core to the substrate, and filling the gap between the first device core and the second device core with gap filling material. The top of the gap filling material is covered with the first device core and the second device core. A through hole is formed to pass through the top of the gap filling material. The through hole is electrically connected to the first device core and the second device core. The method also includes the formation of a redistribution line over the gap filling material by using an inlaying process, and the formation of an electrical connector electrically connected to the redistribution line in the square of the redistribution line. The embodiments of the present invention also relate to packages and their forming methods.

【技术实现步骤摘要】
封装件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及封装件及其形成方法。
技术介绍
随着更多的器件管芯封装在相同的封装件中以实现更多的功能，集成电路的封装件变得越来越复杂。例如，封装件可以包括接合至相同的中介层的诸如处理器和存储器数据集的多个器件管芯。可以基于半导体衬底形成中介层，其中硅通孔形成在半导体衬底中以互连形成在中介层的相对侧上的部件。模塑料将器件管芯包封在其中。包括中介层和器件管芯的封装件进一步接合至封装衬底。此外，表面安装器件也可以接合至衬底。散热器可以附接至器件管芯的顶面以消散器件管芯中产生的热量。散热器可以具有固定在封装衬底上的裙部(skirtportion)。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：将第一器件管芯和第二器件管芯接合至衬底；用间隙填充材料填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙，其中，所述间隙填充材料的顶部覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；形成通孔，所述通孔穿过所述间隙填充材料的顶部，其中，所述通孔电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；使用镶嵌工艺在所述间隙填充材料上方形成再分布线；以及在所述再分布线上方形成电连接至所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成封装件的方法，包括：将第一器件管芯和第二器件管芯接合至衬底；用间隙填充材料填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙，其中，所述间隙填充材料的顶部覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；形成通孔，所述通孔穿过所述间隙填充材料的顶部，其中，所述通孔电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；使用镶嵌工艺在所述间隙填充材料上方形成再分布线；以及在所述再分布线上方形成电连接至所述再分布线的电连接件。

【技术特征摘要】
2017.06.15 US 62/520,112;2017.09.01 US 15/693,9501.一种形成封装件的方法，包括：将第一器件管芯和第二器件管芯接合至衬底；用间隙填充材料填充所述第一器件管芯和所述第二器件管芯之间的间隙，其中，所述间隙填充材料的顶部覆盖所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；形成通孔，所述通孔穿过所述间隙填充材料的顶部，其中，所述通孔电连接至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；使用镶嵌工艺在所述间隙填充材料上方形成再分布线；以及在所述再分布线上方形成电连接至所述再分布线的电连接件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，填充所述间隙包括沉积氧化物。3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一器件管芯和所述第二器件管芯接合至所述衬底包括熔融接合。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：形成延伸至所述衬底的第一多个接合焊盘，其中，所述衬底是空白半导体衬底；以及形成延伸至所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的半导体衬底的第二多个接合焊盘，其中，所述接合还包括通过金属至金属直接接合来接合所述第一多个接合焊盘和所述第二多个接合焊盘。5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述再分布线包括形成互连所述第一器件管芯和所述第二器件管芯的多条金属线和通孔。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明发，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71