OLED面板及其制造方法技术

本申请公开一种OLED面板及其制造方法。所述制造方法包括：形成阳极及位于阳极上的空穴注入层；在空穴注入层上涂布一层光刻胶；采用光罩对光刻胶进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，所述光刻胶的曝光区域被保留而其未曝光区域被去除并形成凹槽；采用IJP技术在凹槽中依次形成空穴传输层和发光层；去除剩余光刻胶；在发光层上依次形成电子传输层、电子注入层和阴极。基于此，本申请能够在实现较高的材料利用率的同时有利于制造高分辨率OLED面板。

OLED Panel and Its Manufacturing Method

This application discloses an OLED panel and its manufacturing method. The manufacturing method includes: forming an anode and a hole injection layer on the anode; coating a photoresist on the hole injection layer; exposing the photoresist with a mask, and developing the photoresist after exposure. The exposure area of the photoresist is retained while the unexposed area is removed and a groove is formed; forming a hole transmission layer and a groove in turn by using IJP technology in the groove. Luminescent layer; Removal of residual photoresist; formation of electron transport layer, electron injection layer and cathode on the luminescent layer in turn. Based on this, the application can achieve a high material utilization rate while facilitating the manufacture of high resolution OLED panels.

【技术实现步骤摘要】
OLED面板及其制造方法
本申请涉及显示领域，具体涉及一种OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)面板及其制造方法。
技术介绍
不同于传统的液晶显示器，OLED面板无需采用背光源，而是通过发光层自发光。请参阅图1所示，OLED面板包括依次层叠设置的阳极(Anode)11、空穴注入层(HoleInjectionLayer,HIL)12、空穴传输层(HoleTransportLayer,HTL)13、发光层(EmittingLayer,EML)14、电子传输层(ElectronTransportingLayer,ETL)15、电子注入层(ElectronInjectLayer,EIL)16以及阴极(Cathode)17，对阳极11和阴极17通电以对OLED面板施加电场，电子和空穴分别注入电子注入层16和空穴注入层12，再分别从电子传输层15和空穴传输层13向发光层14迁移，并在发光层14中复合产生激子，激子在电场作用下迁移，其能量传递给发光分子并使发光分子产生光子，实现发光。所述OLED面板的各层结构，尤其是空穴传输层13和发光层14，一般通过真空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成阳极以及位于所述阳极上的空穴注入层；在所述空穴注入层上涂布一层光刻胶；采用光罩对所述光刻胶进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，所述光刻胶的曝光区域被保留而其未曝光区域被去除并形成凹槽；采用IJP技术在所述凹槽中依次形成空穴传输层和发光层；去除所述光刻胶的曝光区域；在所述发光层上依次形成电子传输层、电子注入层和阴极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：形成阳极以及位于所述阳极上的空穴注入层；在所述空穴注入层上涂布一层光刻胶；采用光罩对所述光刻胶进行曝光，并对曝光后的光刻胶进行显影，所述光刻胶的曝光区域被保留而其未曝光区域被去除并形成凹槽；采用IJP技术在所述凹槽中依次形成空穴传输层和发光层；去除所述光刻胶的曝光区域；在所述发光层上依次形成电子传输层、电子注入层和阴极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述OLED面板包括红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素，分别采用第一光罩、第二光罩和第三光罩对所述红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素的光刻胶进行曝光，所述第三光罩的遮光区大于所述第一光罩的遮光区，所述第一光罩的遮光区大于所述第二光罩的遮光区。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素的空穴传输层分别具有第一厚度、第二厚度及第三厚度，所述第三厚度小于第二厚度，所述第二厚度小于第一厚度。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，每一光罩均包括四个相同的遮光区，且四个所述遮光区呈2*2矩阵排布。5.根据权利要求4所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泓扬，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42