量子点与碳纳米材料交联的薄膜及制备方法与QLED技术

本发明专利技术公开量子点与碳纳米材料交联的薄膜及制备方法与QLED，方法包括步骤：将量子点与导电碳纳米材料混合于溶剂中，得到混合液；通过溶液法将混合液制成含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜；通过HHIC技术对含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜进行交联处理，使得量子点与导电碳纳米材料之间发生交联，得到量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜。本发明专利技术利用HHIC技术对包含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜进行交联处理，使得混合薄膜中独立的量子点与导电碳纳米材料交联在一起，得到量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜。利用HHIC技术，不会改变非交联基团的性质，且不会产生副产物。

Thin Films Crosslinking Quantum Dots with Carbon Nanomaterials and Their Preparation and QLED

The invention discloses a thin film crosslinking quantum dots with carbon nanomaterials and a preparation method and QLED. The method comprises the following steps: mixing quantum dots with conductive carbon nanomaterials in a solvent to obtain a mixed solution; making a mixed film of content dots and conductive carbon nanomaterials by solution method; and crosslinking the mixed film of content dots and conductive carbon nanomaterials by HHIC technology. After treatment, the quantum dots were crosslinked with the conductive carbon nanomaterials, and the mixed films were obtained. The invention utilizes HHIC technology to cross-link the mixed film containing quantum dots and conductive carbon nanomaterials, so that the independent quantum dots in the mixed film are crosslinked with the conductive carbon nanomaterials, and a hybrid film crosslinked with the conductive carbon nanomaterials is obtained. Using HHIC technology, the properties of non-crosslinking groups will not be changed, and no by-products will be produced.

【技术实现步骤摘要】
量子点与碳纳米材料交联的薄膜及制备方法与QLED
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件。
技术介绍
胶体（Colloid）量子点是基于液相分布的纳米材料体系。胶体量子点通过不同的制备工艺（旋涂、打印、转印或涂布等），制备量子点多层或单层薄膜。目前，在胶体量子点和导电碳纳米材料的混合体系中，量子点和导电碳纳米材料分散在溶剂中，成膜后溶剂挥发，形成只有量子点和导电碳纳米材料堆积的混合薄膜。然而在形成含量子点和导电碳纳米材料的混合薄膜过程中，量子点和导电碳纳米材料之间不易发生交联，这是因为导电碳纳米材料没有交联官能团，成膜过程中无法交联。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜及制备方法与QLED器件，旨在解决现有含有量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜中，导电碳纳米材料与量子点之间不易发生交联的问题。本专利技术的技术方案如下：一种量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜的制备方法，其中，包括：步骤A、将量子点与导电碳纳米材料混合于溶剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将量子点与导电碳纳米材料混合于溶剂中，得到混合液；步骤B、通过溶液法将混合液制成含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜；步骤C、通过HHIC技术对含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜进行交联处理，使得量子点与导电碳纳米材料之间发生交联，得到量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：步骤A、将量子点与导电碳纳米材料混合于溶剂中，得到混合液；步骤B、通过溶液法将混合液制成含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜；步骤C、通过HHIC技术对含量子点与导电碳纳米材料的混合薄膜进行交联处理，使得量子点与导电碳纳米材料之间发生交联，得到量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜。2.根据权利要求1所述的量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述导电碳纳米材料为石墨烯、富勒烯、碳纳米管中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述富勒烯为C60、C70和PCBM中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的量子点与导电碳纳米材料交联的混合薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，所述溶剂为甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、正辛烷、异辛烷、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的量子点与导...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，钱磊，曹蔚然，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44