一种多层量子点薄膜的制备方法及光电器件技术

本发明专利技术公开一种多层量子点薄膜的制备方法及光电器件，其中，方法包括步骤：预先采用量子点溶液制备成第一层量子点薄膜；将第一层量子点薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，H2电离后形成H等离子，通过H等离子使第一层量子点薄膜中的量子点交联；在第一层量子点薄膜上依次制备第n层量子点薄膜，每增加一层量子点薄膜，均将叠加形成的n层量子点薄膜放入HHIC反应器中，通过H等离子使每一层量子点薄膜均发生交联反应，制得预定厚度的n层量子点薄膜；通过本发明专利技术可有效解决溶液法制备光电器件中要求不同层之间需满足溶液正交性的缺陷，从而突破了现有光电器件制备工艺的限制，并且能够根据需求制备出任意厚度的量子点薄膜。

Fabrication of a Multilayer Quantum Dot Thin Film and Photoelectric Devices

The invention discloses a method for preparing a multilayer quantum dot film and a photoelectric device. The method comprises the following steps: preparing a first layer of quantum dot film in advance by using a quantum dot solution; putting the first layer of quantum dot film into a HHIC reactor and passing it into H2, which forms H plasma after ionization, and crosslinking quantum dots in the first layer of quantum dot film by H plasma; The n-layer quantum dot thin films are prepared successively on the thin films, and each layer of quantum dot thin films is added, the superimposed n-layer quantum dot thin films are put into the HHIC reactor, each layer of quantum dot thin films is crosslinked by H plasma, and the n-layer quantum dot thin films with predetermined thickness are prepared. The solution method can effectively solve the problem that the different layers of photoelectric devices need to be soluble. The defect of liquid orthogonality breaks through the limitation of the existing optoelectronic device fabrication technology, and can fabricate quantum dot films with arbitrary thickness according to demand.

【技术实现步骤摘要】
一种多层量子点薄膜的制备方法及光电器件
本专利技术涉及量子点
，尤其涉及一种多层量子点薄膜的制备方法及光电器件。
技术介绍
胶体（Colloid）量子点是基于液相分布的纳米材料体系，胶体量子点通过不同的制备工艺（旋涂，打印，转印，涂布等），可制备成量子点薄膜。由于胶体量子点体系中，量子点分散在溶剂中，成膜后溶剂挥发，形成只有量子点堆积的固体薄膜。量子点之间以微弱的范德华力链接，在外界作用下（机械力，溶剂等），薄膜形态不能保持，因此胶体量子点的应用受到很大限制。例如在QLED的制备过程中，由于量子点无法交联，可能被量子点层之上的制备过程用的溶剂冲走，因此限制了QLED的制备工艺和材料选择，从而制约了QLED的性质和应用。由于量子点溶液属于固体悬浮液，为保证成膜的均匀性，所述量子点溶液的浓度不能太大；因此，当需要制备厚度在50nm以上的量子点薄膜时，通常需要通过多层量子点薄膜叠加以满足所需量子点薄膜的厚度；然而，由于不同量子点薄膜层之间要满足溶液的正交性，即前一层的量子点不能溶解到下一层的溶剂中，这给制备超厚量子点薄膜带来了较大的困难。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种多层量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、预先采用量子点溶液制备成第一层量子点薄膜；B、将所述第一层量子点薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使所述第一层量子点薄膜中的量子点交联；C、在所述第一层量子点薄膜上依次制备第n层量子点薄膜，每增加一层量子点薄膜，均将叠加形成的n层量子点薄膜放入HHIC反应器中，通过H等离子使每一层量子点薄膜均发生交联反应，从而制得预定厚度的n层量子点薄膜，所述n大于或等于2。

【技术特征摘要】
1.一种多层量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、预先采用量子点溶液制备成第一层量子点薄膜；B、将所述第一层量子点薄膜放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使所述第一层量子点薄膜中的量子点交联；C、在所述第一层量子点薄膜上依次制备第n层量子点薄膜，每增加一层量子点薄膜，均将叠加形成的n层量子点薄膜放入HHIC反应器中，通过H等离子使每一层量子点薄膜均发生交联反应，从而制得预定厚度的n层量子点薄膜，所述n大于或等于2。2.根据权利要求1所述的多层量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述n层量子点薄膜的厚度大于或等于50nm。3.根据权利要求1所述的多层量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述量子点溶液的浓度小于5%。4.根据权利要求1所述的多层量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述H等离子的能量为1-100eV。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，钱磊，曹蔚然，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44