一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法技术

本发明专利技术公开一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法，通过将有机小分子掺杂到器件金属电极表面，采用H等离子对所述金属电极进行处理，使所述金属电极表面的金属粒子与有机小分子发生交联，在所述电极表面生成一有机薄膜；然后控制有机前驱物的反应用量，在所述器件的有机薄膜表面生成一无机薄膜，再采用H等离子对所述器件进行处理，使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，形成交联的无机薄膜；通过本发明专利技术方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，提升封装薄膜的水氧阻隔效果，从而达到保护器件的目的。

A Device Packaging Method Based on the Alternation of Organic Film and Inorganic Film

The invention discloses a device packaging method based on the alternation of organic film and inorganic film. By doping small organic molecules onto the metal electrode surface of the device and treating the metal electrode with H plasma, the metal particles on the surface of the metal electrode are crosslinked with small organic molecules, and an organic film is formed on the surface of the electrode, and then the anti-reaction of the organic precursor is controlled. The application amount generates an inorganic film on the surface of the organic film of the device, and then the device is treated by H plasma, so that the organic precursor or the organic precursor and the inorganic film cross-link each other to form a cross-linked inorganic film. The method of the invention can greatly improve the compactness of the packaging film and reduce the voids in the packaging film. Through the way of water and oxygen, the water and oxygen barrier effect of the packaging film can be improved, so as to achieve the purpose of protecting the device.

【技术实现步骤摘要】
一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法
本专利技术涉及器件封装
，尤其涉及一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法。
技术介绍
半导体量子点（Quantumdot,QDs）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantumdotlight-emittingdiode,QLED）器件，其具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。QLED器件在制备完各种功能层和量子点发光层后，还需对其进行薄膜封装处理；由于封装薄膜在微观上不是致密的，因此需要采用多层不同材料的薄膜堆叠来提高封装薄膜的水氧阻隔效果；然而，简单的通过多层薄膜堆叠并不能完全去除薄膜不致密导致的空洞，其水氧阻隔效果仍较差，并且多层薄膜之间的应力阻碍了QLED器件的可挠性等。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法，旨在解决现有器件封装工艺水氧阻隔效果差的问题。本专利技术的技术方案如下：一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、预先将有机小分子掺杂到器件金属电极表面；B、将所述器件放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与有机小分子发生交联，在所述金属电极表面形成一有机薄膜;C、控制有机前驱物的反应用量，在所述器件的有机薄膜表面生成一无机薄膜；D、将所述器件放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，形成交联的无机薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、预先将有机小分子掺杂到器件金属电极表面；B、将所述器件放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与有机小分子发生交联，在所述金属电极表面形成一有机薄膜;C、控制有机前驱物的反应用量，在所述器件的有机薄膜表面生成一无机薄膜；D、将所述器件放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过H等离子使所述有机前驱物之间或所述有机前驱物与所述无机薄膜之间相互交联，形成交联的无机薄膜。2.根据权利要求1所述的基于有机薄膜与无机包膜交替的器件封装方法，其特征在于，所述步骤D之后还包括：E、在所述无机薄膜上掺杂有机小分子，并对所述器件进行H等离子处理，使有机小分子与无机薄膜发生交联，在所述无机薄膜上形成一致密的有机薄膜；F、重复所述步骤C-E，制得由单层有机薄膜和单层无机薄膜交替形成的n层封装膜，所述n层封装膜组成封装薄膜层，其中3≤n≤10。3.根据权利要求1所述的基于有机薄膜与无机薄膜交替的器件封装方法，其特征在于，所述步骤A具体为：采用蒸镀或溶液法将有机小分子掺杂到器件金属电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，钱磊，曹蔚然，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44