一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法技术

本发明专利技术公开一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，方法包括步骤：预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层；通过本发明专利技术方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，提升单层封装薄膜的水氧阻隔效果，从而达到保护器件的目的，延长器件的使用寿命。

A Device Packaging Method Based on Cross-linking of Metal Particles and Adsorbed Particles

The invention discloses a device packaging method based on the cross-linking of metal particles and adsorbed particles. The method comprises steps: contacting the metal electrode surface of the device with adsorbed particles beforehand; putting the metal electrode into the HHIC reactor and feeding into H2, which forms H plasma after ionization, and crosslinking the metal particles on the metal electrode with the adsorbed particles through the H plasma. The method of the invention can greatly improve the compactness of the packaging film, reduce the voids in the packaging film and the water-oxygen passage way, and improve the water-oxygen barrier effect of the single-layer packaging film, thereby achieving the purpose of protecting the device and prolonging the service life of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法
本专利技术涉及器件封装
，尤其涉及一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法。
技术介绍
半导体量子点（Quantumdot,QDs）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantumdotlight-emittingdiode,QLED）器件，其具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。QLED器件在制备完各种功能层和量子点发光层后，还需对其进行薄膜封装处理；由于封装薄膜在微观上不是致密的，因此需要采用多层不同材料的薄膜堆叠来提高封装薄膜的水氧阻隔效果；然而，简单的通过多层薄膜堆叠并不能完全去除薄膜不致密导致的空洞，其水氧阻隔效果仍较差，并且多层薄膜之间的应力阻碍了QLED器件的可挠性等。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，旨在解决现有器件封装工艺水氧阻隔效果差的问题。本专利技术的技术方案如下：一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，包括步骤：A、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；B、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述吸附粒子为含氢粒子。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述吸附粒子为H2O、CH4、NH3中的一种或多种。所述的基于与金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的材料为Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一种或多种。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述H等离子的能量为1-100eV。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述H等离子的能量为20-60eV。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述交联反应时间均为1-30min。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的厚度为5-100nm。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述金属电极的厚度为10-60nm。所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其中，所述器件为QLED器件。有益效果：本专利技术提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，通过将器件金属电极表面的金属粒子与吸附粒子充分接触后，采用H等离子对所述金属电极、吸附粒子进行处理，使所述金属电极表面的金属粒子与吸附粒子发生交联，从而在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层；通过本专利技术方法可以极大地提高封装薄膜的致密性，减小封装薄膜内部的空隙和水氧通过途径，提升单层封装薄膜的水氧阻隔效果，从而达到保护器件的目的，延长器件的使用寿命。附图说明图1为本专利技术一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法较佳实施例的流程图。具体实施方式本专利技术提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，图1为本专利技术一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法较佳实施例的流程图，如图所示，其中，包括步骤：S10、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；S20、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。具体来说，现有光电器件在采用封装薄膜进行封装的过程中，由于封装薄膜在微观上不是致密的，其内部依然存在空隙和水氧通过途径，因此现有技术中单层封装薄膜的水氧阻隔效果较差；为解决上述问题，本专利技术通过将器件金属电极表面的金属粒子与吸附粒子充分接触后，采用H等离子对所述金属电极进行处理，使所述金属电极表面的金属粒子与吸附粒子发生交联，从而在所述金属电极表面形成一层致密的封装薄膜层；进一步，所述金属电极表面形成的致密封装薄膜层为单分子层，且具有一定的憎水性，能有效排斥H2O的吸附和反应；更进一步，所述金属粒子与吸附粒子在发生交联反应过程中，并不会影响金属电极的导电性和光电性质。通过本专利技术提供的基于金属粒子与吸附粒子交联的方法可以在金属电极表面制备出一种具有高致密性的封装薄膜，所述封装薄膜之间由于金属粒子和吸附粒子发生交联，其内部不存在空隙和水氧通过途径，从而提升单层封装薄膜的水氧阻隔效果。所述金属电极的材料为Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一种或多种；进一步，所述金属电极的厚度为5-100nm，若金属电极过薄，则难以保证电极的导电性能；若金属电极过厚，则会增加金属电极的制作时间，并且影响其透光性，不满足QLED器件的制备需求；因此本专利技术优选所述金属电极的厚度为10-60nm，在该数值范围内，既能够保证金属电极具有良好的导电性以及透光性，还节省了制备材料并简化了制备工艺。在步骤S10中，在真空条件下，将所述QLED器件的金属电极放置在一密闭空间内，通入吸附粒子，所述吸附粒子与所述金属电极表面的金属粒子接触并吸附在金属电极表面上。进一步，在所述步骤S20中，将吸附有吸附粒子的金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层致密的封装薄膜层。具体地，本专利技术是采用HHIC（Hyperthermalhydrogeninducedcross-linking）技术来实现金属粒子与吸附粒子的交联；所述HHIC技术是通过H2作为起始反应剂，然后使H2转变成H等离子，接着以适合能量的H等离子打开C-H，H-O，S-H，H-N等化学键；之后这些打开的化学键重新接合，从而把化学物质交联在一起。具体来说，在本专利技术中，所述吸附粒子为含氢粒子，具体可为H2O、CH4或NH3的一种或多种；所述吸附粒子在H等离子的作用下打开C-H，H-O或H-N化学键，形成氢元素和其它基团的自由基，这些生成的自由基可以互相结合或者与金属粒子发生结合，从而实现金属粒子与吸附粒子的交联。进一步地，在金属粒子与吸附粒子交联的过程中，控制所述H等离子的能量为1~100eV，若能量低于1eV，则H等离子不能够断裂吸附粒子中的化学键（如C-H，H-O或H-N），不能够产生自由基，则无法进行交联反应；若能量高于100eV，则会对自由基之间以及自由基与金属粒子之间的交联过程形成损伤，从而破坏生成的薄膜层；因此，本专利技术优选H等离子的能量为20-60eV，在该数值范围内，能够保证在不损伤薄膜层的前提下高效地产生自由基。更进一步，在本专利技术中，控制所述交联处理的时间为1~30min，若时间过短（例如小于1min），则无法保证金属粒子与吸附粒子充分交联，只会局部完成交联，不利于形成完整的交联薄膜；若时间过长（大于30min），不仅增加制程时间，导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；B、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；B、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。2.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述吸附粒子为含氢粒子。3.根据权利要求2所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述含氢粒子为H2O、CH4、NH3中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的基于与金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述金属电极的材料为Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一种或...

【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，钱磊，曹蔚然，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44