The invention discloses a device packaging method based on the cross-linking of metal particles and adsorbed particles. The method comprises steps: contacting the metal electrode surface of the device with adsorbed particles beforehand; putting the metal electrode into the HHIC reactor and feeding into H2, which forms H plasma after ionization, and crosslinking the metal particles on the metal electrode with the adsorbed particles through the H plasma. The method of the invention can greatly improve the compactness of the packaging film, reduce the voids in the packaging film and the water-oxygen passage way, and improve the water-oxygen barrier effect of the single-layer packaging film, thereby achieving the purpose of protecting the device and prolonging the service life of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法
本专利技术涉及器件封装
，尤其涉及一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法。
技术介绍
半导体量子点（Quantumdot,QDs）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantumdotlight-emittingdiode,QLED）器件，其具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。QLED器件在制备完各种功能层和量子点发光层后，还需对其进行薄膜封装处理；由于封装薄膜在微观上不是致密的，因此需要采用多层不同材料的薄膜堆叠来提高封装薄膜的水氧阻隔效果；然而，简单的通过多层薄膜堆叠并不能完全去除薄膜不致密导致的空洞，其水氧阻隔效果仍较差，并且多层薄膜之间的应力阻碍了QLED器件的可挠性等。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，旨在解决现有器件封装工艺水氧阻隔效果差的问题。本专利技术...
【技术保护点】
1.一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；B、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。
【技术特征摘要】
1.一种基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，包括步骤：A、预先使器件的金属电极表面与吸附粒子接触；B、将所述金属电极放入HHIC反应器中并通入H2，所述H2电离后形成H等离子，通过所述H等离子使金属电极上的金属粒子与吸附粒子发生交联，在所述金属电极表面形成一层封装薄膜层。2.根据权利要求1所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述吸附粒子为含氢粒子。3.根据权利要求2所述的基于金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述含氢粒子为H2O、CH4、NH3中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的基于与金属粒子与吸附粒子交联的器件封装方法，其特征在于，所述金属电极的材料为Al、Ag、Mg、Au、Pt、Mo、Ni、Cu中的一种或...
【专利技术属性】
技术研发人员：向超宇，钱磊，曹蔚然，杨一行，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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