The present disclosure relates to an image sensor, its forming method and an imaging device. Among them, an image sensor includes a substrate in which at least one photosensitive element is formed; and at least one microlens is formed above the at least one photosensitive element and corresponding to the at least one photosensitive element, respectively; in which at least one of the at least one microlens is formed with an antireflective film for increasing transmission to the sensor through the microlens. Light in optical components. The present disclosure relates to an image sensor and a method for forming an image sensor so that more light enters the area of a photosensitive element in a substrate, thereby improving the light sensitivity of the image sensor.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法、成像设备
本公开涉及半导体领域,具体来说,涉及一种图像传感器及其形成方法以及包含该图像传感器的成像设备。
技术介绍
图像传感器是一种用于将聚焦在图像传感器上的光学图像转换成电信号的电子设备。图像传感器可以用于诸如数码相机之类的成像设备,使得成像设备接收到的光被转换为数字图像。目前常见的图像传感器包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)传感器,它们被广泛用于各种成像应用中,诸如数码相机或手机摄像头应用。无论是CCD还是CMOS,图像传感器都采用感光元件作为影像捕获的基本手段,感光元件的核心可以是光二极管(photodiode),该感光元件在接受光线照射之后能够吸收入射到所述感光元件的光来产生载流子,从而产生电信号。然后,通过处理器对于从光线所得到的信号进行还原,从而可以得到彩色图像。目前,存在对于新的技术的需求以改善图像传感器的光敏感度。
技术实现思路
本公开的一个目的是改善图像传感器的光敏感度。根据本公开的一个方面,提供了一种图像传感器,包括:衬底,衬底中形成有至少一个感光元件;以及至少一个微透镜,在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成;其中,在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成有增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。根据本公开的另一方面,提供了一种用于形成图像传感器的方法,其特征在于,包括:提供衬底,所述衬底中形成有至少一个感光元件;在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成至少一个微透镜;以及在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成增透 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底,衬底中形成有至少一个感光元件;以及至少一个微透镜,在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成;其中,在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成有增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底,衬底中形成有至少一个感光元件;以及至少一个微透镜,在所述至少一个感光元件上方并且分别与所述至少一个感光元件相对应地形成;其中,在所述至少一个微透镜中的至少一个上形成有增透膜用于增加通过该微透镜而传输到感光元件中的光。2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,形成在微透镜上的增透膜的厚度基于通过该微透镜传输到对应的感光元件中的特定颜色的光的波长被确定。3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,形成在微透镜上的增透膜的厚度与经通过该微透镜传输到对应的感光元件中的特定颜色的光的波长的1/4成正比。4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,形成在微透镜上的增透膜的材料选自包含MgF、CaF、FeF的组。5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,在微透镜上形成增透膜是通过涂覆处理而进行的,操作温度小于或等于240℃。6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,在N...
【专利技术属性】
技术研发人员:何延强,林宗德,黄仁德,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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