一种电压抑制器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电压抑制器，其包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底上第一导电类型的第一外延层，形成在第一外延层上第二导电类型的第二外延层，在第一外延层的上表面向下延伸至第一外延层内的第二导电类型的注入区，形成在第二外延层的上表面的介质层，在第二外延层的上表面向下穿过第二外延层且与注入区连接的两个第一绝缘层、设置在两个第一绝缘层之间的第一导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层。其还公开了上述电压抑制器的制备方法。其能进行双向保护，且器件面积小，成本低。

A voltage suppressor and its preparation method

The invention discloses a voltage suppressor, which comprises a first conductive type substrate, a first conductive type epitaxy layer formed on the substrate, a second conductive type epitaxy layer formed on the first epitaxy layer, an injection region of the second conductive type extending downward from the upper surface of the first epitaxy layer to the second conductive type in the first epitaxy layer, and a dielectric formed on the upper surface of the second epitaxy layer. The plasma layer passes down the upper surface of the second epitaxy layer through two first insulating layers connected with the injection zone, the first conductive type buried layer between the two first insulating layers and the second conductive type buried layer of the first conductive type. The preparation method of the voltage suppressor is also disclosed. It can carry out bidirectional protection, and the device area is small, and the cost is low.

【技术实现步骤摘要】
一种电压抑制器及其制备方法
本专利技术涉及半导体芯片
，尤其涉及一种电压抑制器及其制备方法。
技术介绍
瞬态电压抑制器(TVS)是一种用来保护敏感半导体器件，使其免遭瞬态电压浪涌破坏而特别设计的固态半导体器件，它具有箝位系数小、体积小、响应快、漏电流小和可靠性高等优点，因而在电压瞬变和浪涌防护上得到了广泛的应用。目前常用的沟槽TVS只能实现单向保护，如果需要进行双向保护需要将多个TVS串联或并联在一起，增大了器件面积和制造成本。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种电压抑制器，其能进行双向保护，且器件面积小，成本低；本专利技术的目的之二在于提供一种电压抑制器的制备方法。本专利技术的目的之一采用以下技术方案实现：一种电压抑制器，其包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上第一导电类型的第一外延层，形成在所述第一外延层上第二导电类型的第二外延层，在所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的注入区，形成在所述第二外延层的上表面的介质层，在所述第二外延层的上表面向下穿过所述第二外延层且与所述注入区连接的两个第一绝缘层、设置在两个第一绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压抑制器，其特征在于，其包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上第一导电类型的第一外延层，形成在所述第一外延层上第二导电类型的第二外延层，在所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的注入区，形成在所述第二外延层的上表面的介质层，在所述第二外延层的上表面向下穿过所述第二外延层且与所述注入区连接的两个第一绝缘层、设置在两个第一绝缘层之间的第一导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层，在所述第二外延层的上表面向下且延伸至所述第一埋层的第二导电类型且与所述第二外延层电连接的第三埋层、第二导电类型的第四埋层、第一导电类型且与所述第四埋层连接的第五埋层，间隔形成在所述介...

【技术特征摘要】
1.一种电压抑制器，其特征在于，其包括：第一导电类型的衬底，形成在所述衬底上第一导电类型的第一外延层，形成在所述第一外延层上第二导电类型的第二外延层，在所述第一外延层的上表面向下延伸至所述第一外延层内的第二导电类型的注入区，形成在所述第二外延层的上表面的介质层，在所述第二外延层的上表面向下穿过所述第二外延层且与所述注入区连接的两个第一绝缘层、设置在两个第一绝缘层之间的第一导电类型的第一埋层和第一导电类型的第二埋层，在所述第二外延层的上表面向下且延伸至所述第一埋层的第二导电类型且与所述第二外延层电连接的第三埋层、第二导电类型的第四埋层、第一导电类型且与所述第四埋层连接的第五埋层，间隔形成在所述介质层上表面的与所述第二埋层电连接第一金属层、与所述第四埋层和所述第五埋层均电连接的第二金属层，一端与所述第一外延层电连接、另一端与所述第二金属层电连接的第三金属层，形成在所述第一金属层上的第一电极，形成在所述衬底上的第二电极。2.根据权利要求1所述的电压抑制器，其特征在于：所述电压抑制器还包括第二导电类型的第六埋层，所述第六埋层设置在所述第二外延层上且与所述第一金属层电连接。3.根据权利要求2所述的电压抑制器，其特征在于：所述第六埋层的离子浓度大于所述第二外延层的离子浓度，所述第二埋层的离子浓度大于所述第一埋层的离子浓度。4.根据权利要求3所述的电压抑制器，其特征在于：所述第三埋层和所述第四埋层的离子浓度均与所述第六埋层的离子浓度相等，所述第二埋层的离子浓度与所述第五埋层的离子浓度相等。5.根据权利要求1所述的电压抑制器，其特征在于：所述电压抑制器还包括两个第二绝缘层，两个第二绝缘层穿过所述第二外延层与所述第一外延层电性连接，所述第六埋层设置在两个第二绝缘层之间。6.根据权利要求5所述的电压抑制器，其特征在于：所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为氧化硅层。7.根据权利要求1所述的电压抑制器，其特征在于：所述电压抑制器还包括第四金属层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：盛世瑶兰深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44