全芯片静电释放网络制造技术

本发明专利技术公开了一种全芯片静电释放网络，包含有电源钳位电路，以及多个IO单元；所述的电源钳位电路，跨接于电源与地之间，所述的电源钳位电路还包含ESD侦测电路，用于侦测ESD信号，并在侦测到ESD信号后会产生一个触发信号；所述的多个IO单元，是多个并联并与电源钳位电路同样跨接于电源和地之间，所述的IO单元，每个单元均具有IO口，所述的IO口是会受到静电放电的影响的IO口；所述的IO单元，均包含有前驱电路、控制电路以及后驱电路，所述控制电路及后驱电路连接电源和地；所有IO单元的前驱电路均连接到ESD侦测电路的ESD触发信号端以接收ESD触发信号，然后前驱电路的输出端产生相应的控制信号提供给控制电路。

All-chip Electrostatic Release Network

The invention discloses a full-chip electrostatic release network, which comprises a power clamp circuit and a plurality of IO units; the power clamp circuit is connected between the power supply and the ground, and the power clamp circuit also includes an ESD detection circuit for detecting ESD signals and generating a trigger signal after detecting ESD signals; the multiple IO units are connected in parallel and connected with each other in parallel. The power clamp circuit is also connected between the power supply and the ground. Each of the IO units has an IO port, which is affected by electrostatic discharge. The IO units include a front-drive circuit, a control circuit and a back-drive circuit, which connect the power supply and the ground. The front-drive circuits of all the IO units are connected to the ESD detection electronics. The ESD trigger signal terminal of the circuit receives the ESD trigger signal, and the output terminal of the precursor circuit generates the corresponding control signal to the control circuit.

【技术实现步骤摘要】
全芯片静电释放网络
本专利技术涉及半导体器件设计与制造领域，特别是指一种全芯片静电释放网络。
技术介绍
静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦、电器间感应等。静电的特点是长时间积聚、高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害，常常造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。随着半导体集成电路的制造工艺的特征尺寸越来越小，芯片单元的尺寸也越来越小，芯片的抗静电能力越来越变得重要。静电往往会导致半导体组件以及计算机系统等形成一种永久性毁坏，因而影响集成电路的电路功能，而使电子产品工作不正常，所以必须增加保护电路来保护芯片不受静电放电现象的破坏。通常情况下全芯片的静电释放(ESD)网络是由若干个IO单元(IO(1)～IO(n))和电源钳位单元(PowerClamp)组成，IO单元又包含有前驱电路Pre-driver以及后驱电路CMOS。在全芯片当中某一个IO单元对地进行正向静电泄放的时候，静电电流会通过IO单元里面的驱动PMOS的寄生的正向二极管泄放到电源线上，再通过电源钳位单元里面大的ESDNMOS将静电电荷泄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全芯片静电释放网络，其特征在于：包含有电源钳位电路，以及多个IO单元；所述的电源钳位电路，跨接与电源与地之间，所述的电源钳位电路还包含有ESD侦测电路，用于侦测ESD信号，并在侦测到ESD信号后会产生一个触发信号；所述的电源钳位电路还包含有一静电释放晶体管，其栅极接收ESD的触发信号，在侦测到ESD信号时用于将电源上的静电向地线释放；所述的多个IO单元，是多个并联并与电源钳位电路同样跨接于电源和地之间，所述的IO单元，每个单元均具有IO口，所述的IO口是会受到静电放电的影响的IO口；所述的IO单元，均包含有前驱电路、控制电路以及后驱电路，所述控制电路及后驱电路连接电源和地；所有IO单元...

【技术特征摘要】
1.一种全芯片静电释放网络，其特征在于：包含有电源钳位电路，以及多个IO单元；所述的电源钳位电路，跨接与电源与地之间，所述的电源钳位电路还包含有ESD侦测电路，用于侦测ESD信号，并在侦测到ESD信号后会产生一个触发信号；所述的电源钳位电路还包含有一静电释放晶体管，其栅极接收ESD的触发信号，在侦测到ESD信号时用于将电源上的静电向地线释放；所述的多个IO单元，是多个并联并与电源钳位电路同样跨接于电源和地之间，所述的IO单元，每个单元均具有IO口，所述的IO口是会受到静电放电的影响的IO口；所述的IO单元，均包含有前驱电路、控制电路以及后驱电路，所述控制电路及后驱电路连接电源和地；所有IO单元的前驱电路均连接到ESD侦测电路的ESD触发信号端以接收ESD触发信号，然后前驱电路的输出端产生相应的控制信号提供给控制电路。2.如权利要求1所述的全芯片静电释放网络，其特征在于：所述的IO单元中的后驱电路为CMOS，包含有一PMOS及一NMOS，两者串联后分别连接电源和地，串联的节点为IO端口。3.如权利要求1所述的全芯片静电释放网络，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕斌，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31