一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用，所述硒化钼半导体薄膜由将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液，再将FTO导电玻璃与反应前驱液充分反应后制得。其制备方法包括如下步骤：S1：将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S2：对FTO导电玻璃进行前期表面洗涤处理；S3：将FTO导电玻璃与反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在FTO衬底上制备得到硒化钼半导体薄膜。本发明专利技术制备得到的硒化钼半导体薄膜具有物相均匀、结晶良好、纯度较高、致密等优点，制备工艺简单、成本低廉，由本发明专利技术所制备的硒化钼半导体薄膜在染料敏化太阳能电池和光催化水解制氢应用中具有良好的前景。

A Molybdenum Selenide Semiconductor Film and Its Preparation Method and Application

The invention discloses a molybdenum selenide semiconductor film and its preparation method and application. The molybdenum selenide semiconductor film is prepared by mixing a mixed solvent, a selenium source, a molybdenum source and a reductive reagent evenly to prepare a reaction precursor solution, and then by fully reacting FTO conductive glass with the reaction precursor solution. The preparation method includes the following steps: S1: mixing mixed solvents, selenium sources, molybdenum sources and reducing reagents evenly to prepare reaction precursor solution; S2: pre-washing FTO conductive glass surface; S3: fully contacting FTO conductive glass with reaction precursor solution, fully reacting at high temperature and high pressure, then preparing molybdenum selenide semiconductor film on FTO substrate. The molybdenum selenide semiconductor film prepared by the invention has the advantages of homogeneous phase, good crystallization, high purity and compactness, simple preparation process and low cost. The molybdenum selenide semiconductor film prepared by the invention has good prospects in the application of dye-sensitized solar cells and photocatalytic hydrolysis hydrogen production.

【技术实现步骤摘要】
一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用
本专利技术涉及半导体薄膜制备技术和新能源开发的领域，特别是涉及到一种硒化钼半导体薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
FTO导电玻璃为掺杂氟F的SnO2透明导电玻璃(SnO2：F)，简称为FTO。对于硒化钼(MoSe2)薄膜，其具有独特的能带结构、良好的电子输运特性、优良的电化学催化性能，禁带宽度(1.55eV)接近单结太阳电池的理论最佳帯隙值、成本低廉而且不含有毒元素、性能稳定等优点，因此，其被认作是一种良好的薄膜太阳能电池和光催化制氢的电极材料。目前，常用的MoSe2薄膜制备方法一般为磁控溅射、化学气相沉积(CVD)等方法。而相对于溅射制备技术，溶剂热合成法(或水热法、溶液法)则具有工艺简单、生产成本低廉、耗能小、而且可直接得到物相均匀、结晶良好、纯度较高的产物等优点。然而，事实是通过溶剂热合成的MoSe2多为粉末(即先通过溶剂热合成，然后离心、洗涤、干燥得到MoSe2)，而直接通过溶剂热合成MoSe2薄膜的比较少。此外，在报道的通过溶剂热合成的MoSe2或其他的过渡金属二硫族化合物(WSe2、MoS2、WS2等)中，所采用的试剂部分有毒，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硒化钼半导体薄膜，其特征在于：所述硒化钼半导体薄膜由将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液，再将FTO导电玻璃与反应前驱液充分反应后制得。

【技术特征摘要】
1.一种硒化钼半导体薄膜，其特征在于：所述硒化钼半导体薄膜由将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液，再将FTO导电玻璃与反应前驱液充分反应后制得。2.根据权利要求1所述的一种硒化钼半导体薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：将混合溶剂、硒源、钼源以及还原性试剂混合均匀制得反应前驱液；S2：对FTO导电玻璃进行前期表面洗涤处理；S3：将FTO导电玻璃与反应前驱液充分接触，在高温高压的条件下充分反应后，在FTO衬底上制备得到硒化钼半导体薄膜。3.根据权利要求2所述的一种硒化钼半导体薄膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中，将FTO导电玻璃放入反应釜中与反应前驱液充分接触。4.根据权利要求2所述的一种硒化钼半导体薄膜的制备方法，其特征在于：所述硒源为硒粉，所述钼源为钼酸钠或钼酸铵，所述还原性试剂为硼氢化钠。5.根据权利要求2所述的一种硒化钼半导体薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S1具体为：在混合溶剂中加入还原性试剂后，利用磁力搅拌至充分溶解；然后依次加入硒源和钼源后，利用磁力搅拌至充分溶解，混合均匀得到反应前驱液。6.根据权利要求2所述的一种硒化钼半导体薄膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：温如春，招瑜，魏爱香，刘俊，肖志明，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44