半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体存储装置。本发明专利技术公开了一种能够执行第一模式和第二模式的半导体存储装置，所述第一模式具有第一潜伏期，所述第二模式具有比所示第一潜伏期长的第二潜伏期。该半导体存储装置包括：焊盘单元，该焊盘单元被配置为从外部接收地址和命令；第一延迟电路，该第一延迟电路被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期对应的时间；第二延迟电路，该第二延迟电路包括串联的移位寄存器，并被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期和所述第二潜伏期之间的差值对应的时间；以及控制器，该控制器被配置为在执行所述第二模式时使用所述第一延迟电路和所述第二延迟电路。

Semiconductor Storage Device

The invention relates to a semiconductor storage device. The invention discloses a semiconductor storage device capable of executing the first mode and the second mode. The first mode has a first latency period, and the second mode has a second latency period longer than the first latency period shown. The semiconductor storage device includes: a pad unit configured to receive addresses and commands from the outside; a first delay circuit configured to delay the addresses to the time corresponding to the first latency period; and a second delay circuit comprising a series of shift registers configured to delay the addresses to the first latency period. The time corresponding to the difference between the first latency period and the second latency period; and a controller configured to use the first delay circuit and the second delay circuit in executing the second mode.

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置本申请是申请日为2014年7月29日、申请号为201480048217.8、专利技术名称为“半导体存储装置”的申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请基于2013年9月4日提交的美国临时申请61/873,800和2014年3月7日提交的美国专利申请14/201,686，并要求其优先权，所述申请的全部内容通过引用结合至此。
本说明书中描述的实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
磁阻式随机存取存储器(MRAM)是一种存储装置，其利用具有磁阻效应的磁性元件作为存储信息的存储单元，并作为下一代存储装置以其运行速度高，容量大和非易失性的特点已经获得大量关注。此外，对替代易失存储器，例如DRAM或SRAM的MRAM进行了大量研发工作。在这种情况下，受研发成本限制和为了实现平滑替代，MRAM优选和DRAM或SRAM具有相同规格。附图说明图1是根据第一实施方式的半导体存储装置的示意图；图2为显示了存储核和周边电路的实施例的框图；图3为存储单元阵列的电路图，该存储单元阵列包括在一个存储体(bank)中；图4是关于命令和地址的时间图；图5显示了读取潜伏期(latency)和写入潜伏期本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制磁阻式随机存取存储器的方法，包括：在时钟信号的上升沿和下降沿通过命令/地址引脚接收与激活状态相关联的多个第一信号；在接收所述多个第一信号之后，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于读取操作的列地址和行地址相关联的多个第二信号；响应于所述多个第二信号，根据用于所述读取操作的所述行地址，从至少一个存储单元读取数据；在从所述至少一个存储单元读取数据的同时，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于写入操作的列地址和行地址相关联的多个第三信号；在从接收所述多个第二信号起经过预定的读取潜伏期之后，根据用于所述读取操作的所述列地址，将从所述至少一个存...

【技术特征摘要】
2013.09.04 US 61/873,800;2014.03.07 US 14/201,6861.一种控制磁阻式随机存取存储器的方法，包括：在时钟信号的上升沿和下降沿通过命令/地址引脚接收与激活状态相关联的多个第一信号；在接收所述多个第一信号之后，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于读取操作的列地址和行地址相关联的多个第二信号；响应于所述多个第二信号，根据用于所述读取操作的所述行地址，从至少一个存储单元读取数据；在从所述至少一个存储单元读取数据的同时，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于写入操作的列地址和行地址相关联的多个第三信号；在从接收所述多个第二信号起经过预定的读取潜伏期之后，根据用于所述读取操作的所述列地址，将从所述至少一个存储单元读取的所述数据输出到数据输入/输出引脚；在从接收所述多个第三信号起经过预定的写入潜伏期之后，根据用于所述写入操作的所述列地址，响应于所述多个第三信号，通过所述数据输入/输出引脚输入数据；以及根据用于所述写入操作的所述行地址，将从所述数据输入/输出引脚输入的所述数据写入至少一个存储单元。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在将从所述数据输入/输出引脚输入的所述数据写入所述至少一个存储单元之前，响应于所述多个第三信号，从待写入的所述至少一个存储单元读取数据。3.根据权利要求1所述的方法，其中，与使用所述行地址的定时相比，使用所述列地址的定时被延迟预定时段。4.根据权利要求3所述的方法，其中，串联的移位寄存器被用于生成所述延迟。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述读取潜伏期的时段与所述写入潜伏期的时段彼此不同。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述读取潜伏期的时段比所述写入潜伏期的时段长。7.根据权利要求1所述的方法，其中，在将从所述至少一个存储单...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水直树，裴智慧，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，SK海力士公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP