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本发明涉及半导体存储装置。本发明公开了一种能够执行第一模式和第二模式的半导体存储装置，所述第一模式具有第一潜伏期，所述第二模式具有比所示第一潜伏期长的第二潜伏期。该半导体存储装置包括：焊盘单元，该焊盘单元被配置为从外部接收地址和命令；第一延...
该专利属于东芝存储器株式会社;SK海力士公司所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社;SK海力士公司授权不得商用。

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