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一种制备二维近单层蒙脱石的方法技术

技术编号:20004422 阅读:39 留言:0更新日期:2019-01-05 17:24
本发明专利技术涉及一种制备二维近单层蒙脱石的方法,将粉末状钠型蒙脱石加入纯水中搅拌至完全分散,得到蒙脱石悬浮液;对蒙脱石悬浮液进行超声或搅拌处理,然后离心取上层悬浮液;将上层悬浮液进行真空冷冻干燥,得到白色棉花状二维近单层蒙脱石样品,即为产品。与现有技术相比,本发明专利技术制备方法简单易行,重复性好,得到的近单层蒙脱石性质稳定,可进行大批量生产。用于吸附剂、杀菌药物、电介质、催化剂载体等。

A METHOD FOR PREPARATION OF TWO-DIMENSIONAL NEAR SINGLE-LAYER MONTMORILLONITE

The invention relates to a method for preparing two-dimensional near single-layer montmorillonite, which mixes powder sodium-type montmorillonite into pure water and gets montmorillonite suspension; carries out ultrasonic or stirring treatment of montmorillonite suspension, then centrifuges the upper suspension; carries out vacuum freeze-drying of the upper suspension, and obtains white cotton-like two-dimensional near single-layer montmorillonite sample, that is, for production. Product. Compared with the prior art, the preparation method of the present invention is simple and feasible, has good repeatability, and the obtained near monolayer montmorillonite has stable properties, and can be mass produced. Used for adsorbents, bactericides, dielectrics, catalyst carriers, etc.

【技术实现步骤摘要】
一种制备二维近单层蒙脱石的方法
本专利技术涉及纳米材料的制备方法,尤其是涉及一种制备二维近单层蒙脱石的方法。
技术介绍
天然块状蒙脱石是具有层状结构的矿物材料,表面带负电,层与层之间通过范德华力连接,层间存在维系电荷平衡的金属阳离子(Na+、K+、Ca2+等)。近些年,随着石墨烯、C3N4等新型二维近单层纳米材料的兴起,蒙脱石型氢氧化物二维纳米材料也开始得到关注。此前,基于天然蒙脱石的结构特点,Cui等人通过阳离子交换作用使表面活性剂进入蒙脱石层间,然后通过点击化学法制备出近单层蒙脱石。Yan等使用CTAB与蒙脱石层间Na+交换,再通过球磨法获取近单层蒙脱石。以上制备近单层蒙脱石方法中使用的表面活性剂,较难生物降解,可能对水环境或地下水环境产生不利影响。而使用物理法制备二维近单层蒙脱石,则可避免制备过程中引入其他物质,简化制备过程且环境友好。因此本专利技术将着眼于利用钠型蒙脱石制备二维近单层纳米材料的绿色制备方法。基于此,我们发展了一种获取二维近单层蒙脱石的新途径。所得近单层蒙脱石平均粒径为210±125纳米,平均厚度为2.5±1.0纳米。这种近单层结构制备方法是首次报道的,可大批量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备二维近单层蒙脱石的方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:(1)将粉末状钠型蒙脱石加入纯水中搅拌至完全分散,得到蒙脱石悬浮液;(2)对蒙脱石悬浮液进行超声或搅拌处理,然后离心取上层悬浮液;(3)将上层悬浮液进行真空冷冻干燥,得到白色棉花状二维近单层蒙脱石样品,即为产品。

【技术特征摘要】
1.一种制备二维近单层蒙脱石的方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:(1)将粉末状钠型蒙脱石加入纯水中搅拌至完全分散,得到蒙脱石悬浮液;(2)对蒙脱石悬浮液进行超声或搅拌处理,然后离心取上层悬浮液;(3)将上层悬浮液进行真空冷冻干燥,得到白色棉花状二维近单层蒙脱石样品,即为产品。2.根据权利要求1所述的一种制备二维近单层蒙脱石的方法,其特征在于,步骤(2)进行超声处理时,将超声破碎仪的探头置于蒙脱石悬浮液中,控制超声频率为90W-200W,超声时间为10分钟-240分钟。3.根据权利要求1所述的一种制备二维近单层蒙脱石的方法,其特征在于,步骤(2)进行搅拌处理时,控制搅拌速率为200rpm-15...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵美林思劼秦瑶
申请(专利权)人:同济大学
类型:发明
国别省市:上海,31

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