薄膜芯片电阻制造技术

一种薄膜芯片电阻，包含基板、电阻层、第一与第二电极、保护层、及第一至第四接面层。基板具有相对的第一与第二表面。基板具有第一及第二通孔。电阻层设于第一表面上。电阻层包含第一、第二、及第三部分位于第一与第二部分之间。第一电极自电阻层的第一部分穿过第一通孔而延伸至基板的第二表面的第一区上。第二电极自电阻层的第二部分穿过第二通孔而延伸至基板的第二表面的第二区上。保护层覆盖电阻层的第三部分。第一与第二接面层分别覆盖第一通孔的相对两侧的第一电极。第三与第四接面层分别覆盖第二通孔的相对两侧的第二电极。因电极可由基板正面经通孔而延伸至背面，故电极较易散热且温度分布较均匀，可降低因电极热效应所造成的电阻值变化。

Thin Film Chip Resistor

A thin film chip resistor comprises a substrate, a resistor layer, a first and a second electrode, a protective layer, and a first to fourth interface layer. The substrate has relative first and second surfaces. The substrate has first and second through holes. The resistance layer is arranged on the first surface. The resistor layer consists of the first, second and third parts between the first and second parts. The first electrode extends from the first part of the resistance layer through the first through hole to the first area of the second surface of the substrate. The second electrode extends from the second part of the resistance layer through the second through hole to the second area of the second surface of the substrate. The third part of the protective layer covering the resistance layer. The first and second interface layers cover the first electrodes on the opposite sides of the first through hole, respectively. The third and fourth interface layers cover the second electrodes on opposite sides of the second through hole, respectively. Because the electrodes can be extended from the front of the substrate through holes to the back, the electrodes are easy to dissipate heat and have a uniform temperature distribution, which can reduce the resistance changes caused by the thermal effect of the electrodes.

【技术实现步骤摘要】
薄膜芯片电阻
本新型是有关于一种电阻，且特别是有关于一种薄膜芯片电阻。
技术介绍
在制作薄膜芯片电阻时，一般是利用印刷、溅镀或贴合的方式在不导电的承载片或基板的上表面形成电阻材料层。并在芯片基板的两端，可为长边或短边的电阻材料层的表面上或电阻材料层与基板之间各设置导电端电极。接着，利用浸沾(dip)或溅镀方式在芯片的这两端的侧壁各形成侧边电极。接下来，利用印刷或溅镀工艺，在芯片基板背面形成背面电极。借此使芯片基板的正面、侧壁和背面的这三面上的电极导通。随后再利用电镀的方式在这三面电极上形成可焊接的电极接面层。然而，当薄膜芯片电阻的电阻值小于1Ω时，薄膜芯片电阻采正面焊接与背面焊接时的电阻值与温度电阻系数(TCR)会有明显的差异。而且，侧壁电极容易因工艺因素而有剥离或裂面风险，如此会造成薄膜芯片电阻的电阻值不稳定。此外，薄膜芯片电阻使用时容易因为电流过度集中在单一焊接面而造成电极接面层的锡氧化，导致薄膜芯片电阻的单一面温度过度集中，进而造成薄膜芯片电阻的阻值异常。
技术实现思路
因此，本技术的一目的就是在提供一种薄膜芯片电阻，其基板的相对两端设有电极通孔，电极可由基板正面经由通孔而延伸至基板背本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜芯片电阻，其特征在于所述薄膜芯片电阻包含：基板，具有相对的第一表面与第二表面，其中所述基板具有至少一第一通孔以及至少一第二通孔，所述至少一第一通孔与所述至少一第二通孔自所述第一表面延伸至所述第二表面；第一电阻层，设于所述基板的所述第一表面上，其中所述第一电阻层包含第一部分、第二部分、以及第三部分，所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间；第一电极，自所述第一电阻层的所述第一部分上穿过所述第一通孔而延伸至所述基板的所述第二表面的第一区上；第二电极，自所述第一电阻层的所述第二部分上穿过所述第二通孔而延伸至所述基板的所述第二表面的第二区上，所述第二电极与所述第一电极分开；第一保护层...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜芯片电阻，其特征在于所述薄膜芯片电阻包含：基板，具有相对的第一表面与第二表面，其中所述基板具有至少一第一通孔以及至少一第二通孔，所述至少一第一通孔与所述至少一第二通孔自所述第一表面延伸至所述第二表面；第一电阻层，设于所述基板的所述第一表面上，其中所述第一电阻层包含第一部分、第二部分、以及第三部分，所述第三部分位于所述第一部分与所述第二部分之间；第一电极，自所述第一电阻层的所述第一部分上穿过所述第一通孔而延伸至所述基板的所述第二表面的第一区上；第二电极，自所述第一电阻层的所述第二部分上穿过所述第二通孔而延伸至所述基板的所述第二表面的第二区上，所述第二电极与所述第一电极分开；第一保护层，覆盖所述第一电阻层的所述第三部分；第一接面层与第二接面层，分别覆盖所述第一通孔的相对两侧的所述第一电极；以及第三接面层与第四接面层，分别覆盖所述第二通孔的相对两侧的所述第二电极。2.如权利要求1所述的薄膜芯片电阻，其特征在于所述基板的所述第二表面具有第三区介于所述第一区与所述第二区之间，且所述薄膜芯片电阻还包含第二保护层覆盖所述第三区。3.如权利要求2所述的薄膜芯片电阻，其特征在于所述薄膜芯片电阻还包含散热层位于所述第二表面的所述第三区上，其中所述第二保护层覆盖所述散热层。4.如权利要求1所述的薄膜芯片电阻，其特征在于所述薄膜芯片电阻还包含第二电阻层设于所述基板的所述第二表面上。5.如权利要求1所述的薄膜芯片电阻，其特征在于所述基板为氮化铝基板。6.一种薄膜芯片电阻，其特征在于所述薄膜芯片电阻包含：基板，具有相对的第一表面与第二表面、以及相对的第一侧面与第二侧面，其中所述第一侧面与所述第二侧面均接合于所述第一表面与所述第二表面之间，所述基板具有至...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧胜利，林广成，林庆彰，李瑞丰，沈怡良，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，国巨股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32