The invention discloses an array type platinum film temperature sensor for micro-electromechanical system, which comprises an insulating substrate, a platinum film resistance temperature sensor and a polyimide film. The insulating substrate is made of silicon oxide insulating layer deposited on a silicon or alumina ceramic substrate. The platinum film resistance temperature sensor is deposited on the insulating substrate, the platinum film resistance temperature sensor is distributed in an array, and the platinum film resistance temperature sensor is thin. The film resistance temperature sensor is covered by polyimide film protective layer. There is a layer of titanium metal between the platinum film resistance temperature sensor and the base insulation layer. The thickness of the titanium metal layer is 10-20 nm. The preparation method of the platinum film temperature sensor array of the microelectromechanical system is also disclosed.
【技术实现步骤摘要】
一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器及其制备方法
本专利技术涉及微机电系统铂薄膜温度传感器及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的飞速发展，对温度传感器提出了更高要求，电阻温度传感器因为其误差小、稳定性好、精度高而成为当下研究的热点。薄膜式电阻温度传感器不仅具有一般电阻温度传感器的优点，还有体积小、重量轻、用料省、成本低等特点。铂金属是优秀的薄膜式电阻温度传感器材料，因为其具有很高的抗氧化性、机械强度、电阻温度系数，尤其在当下，许多仪器设备都工作在极端的环境下，如高温、高压等，这对传感器的稳定性提出了更高的要求。铂薄膜温度传感器凭借其优越的性能成为研究的热点，同时，如何采用更简单的工艺也是工业生产的重要考虑因素。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的上述不足而提供一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，不仅性能稳定、精度高，而且便于工业生产。本专利技术还提供一种制备上述微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器的方法，使其便于工业生产。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器包括绝缘基底、铂薄膜电阻温度传感器、聚酰亚胺薄...
【技术保护点】
1.一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述传感器包括绝缘基底、铂薄膜电阻温度传感器、聚酰亚胺薄膜，绝缘基底为硅基底或氧化铝陶瓷基底上沉积氧化硅绝缘层制成，绝缘基底之上沉积有铂薄膜电阻温度传感器，铂薄膜电阻温度传感器呈阵列分布，铂薄膜电阻温度传感器上由聚酰亚胺薄膜保护层覆盖。
【技术特征摘要】
1.一种微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述传感器包括绝缘基底、铂薄膜电阻温度传感器、聚酰亚胺薄膜，绝缘基底为硅基底或氧化铝陶瓷基底上沉积氧化硅绝缘层制成，绝缘基底之上沉积有铂薄膜电阻温度传感器，铂薄膜电阻温度传感器呈阵列分布，铂薄膜电阻温度传感器上由聚酰亚胺薄膜保护层覆盖。2.根据权利要求1所述的微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述铂薄膜电阻温度传感器的铂薄膜厚度为200nm~500nm。3.根据权利要求1所述的微机电系统阵列式铂薄膜温度传感器，其特征在于：所述铂薄膜电阻温度传感器与基底绝缘层之间有一层钛金属层，钛金属层的厚度为10nm~20nm。4.根据权利要求1所述的微机电系统阵列式铂薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯晓伟，王飞，郑良广，杨玉钊，
申请(专利权)人：宁波中车时代传感技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。