一种LED倒装芯片及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED倒装芯片及其制造方法，A、提供衬底，在衬底上依次形成N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；B、在衬底表面上形成欧姆接触层；C、在欧姆接触层上形成反射镜介质层；D、形成反射镜金属层；E、刻蚀暴露出的P型氮化镓层、量子阱层形成N电极接触孔；F、形成隔离层；G、在N电极接触孔中形成N电极，在覆盖暴露出的欧姆接触层的反射镜金属层上形成P电极；H、对蓝宝石衬底背面进行减薄，并在蓝宝石衬底背面形成粗糙氧化铝层。本发明专利技术的制造方法可以提高倒装LED芯片的出光效率，从而提升倒装LED芯片的光电转换效率，还可以避免对芯片正面的影响，并降低制作成本。

【技术实现步骤摘要】
一种LED倒装芯片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种LED倒装芯片及其制造方法。
技术介绍
传统的正装结构led芯片，P型GaN掺杂困难导致空穴载流子浓度低下和不易长厚而导致电流不易扩散，当前普遍采用在P型GaN表面制备超薄金属薄膜或ITO薄膜的方法达到电流得均匀扩散。但是金属薄膜电极层要吸收部分光降低出光效率，如果厚度减薄反过来又限制电流扩散层在P型GaN层表面实现均匀和可靠的电流扩散。ITO透光率虽然高达90％，但电导率却不及金属，电流的扩散效果亦有限。而且这种结构的电极和引线做到出光面，工作时会挡住部分光线。因此，这种P型接触结构制约了LED芯片的工作电流大小。另一方面，这种结构的PN结热量通过蓝宝石衬底导出，鉴于蓝宝石的导热系数很低，对大尺寸的功率型芯片来说导热路径较长，这种LED芯片的热阻较大，工作电流也受到限制。为了克服正装led芯片的这些不足，业界提出一种倒装LED芯片(Flipchip)结构，包括蓝宝石衬底、外延层和焊接层。在进行封装时首先制备具有适合共晶焊接的大尺寸倒装LED芯片，同时制备相应尺寸的散热载基板，并在其上制作共晶焊接电极的金导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：A、提供衬底，所述衬底为蓝宝石衬底，在所述衬底上依次形成N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；B、在所述衬底表面上形成欧姆接触层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层；C、在所述欧姆接触层上形成反射镜介质层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层和部分欧姆接触层；D、形成反射镜金属层，所述反射镜金属层覆盖所述反射镜介质层和暴露出的欧姆接触层；E、刻蚀暴露出的P型氮化镓层、量子阱层形成N电极接触孔；F、形成隔离层，所述隔离层覆盖所述反射镜金属层及N电极接触孔的侧壁，所述隔离层暴露出覆盖所述欧姆接触层的反射镜金属层；G、在所述N电极接触孔...

【技术特征摘要】
1.一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：A、提供衬底，所述衬底为蓝宝石衬底，在所述衬底上依次形成N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；B、在所述衬底表面上形成欧姆接触层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层；C、在所述欧姆接触层上形成反射镜介质层，并进行图案化，暴露出所述P型氮化镓层和部分欧姆接触层；D、形成反射镜金属层，所述反射镜金属层覆盖所述反射镜介质层和暴露出的欧姆接触层；E、刻蚀暴露出的P型氮化镓层、量子阱层形成N电极接触孔；F、形成隔离层，所述隔离层覆盖所述反射镜金属层及N电极接触孔的侧壁，所述隔离层暴露出覆盖所述欧姆接触层的反射镜金属层；G、在所述N电极接触孔中形成N电极，在覆盖暴露出的欧姆接触层的反射镜金属层上形成P电极；H、对所述蓝宝石衬底背面进行减薄，并在所述蓝宝石衬底背面形成粗糙氧化铝层。2.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤C中，反射镜介质层是采用离子束辅助沉积镀膜工艺形成的。3.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于：所述反射镜介质层由交替层叠的二氧化硅薄膜和二氧化钛薄膜构成。4.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于：所述步骤D中，反射镜金属层是采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成的。5.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片的制造方法，其特征在于：所述反射镜金属层的材质为Ni/Ag/Ti/Pt/Au/W的组合，其厚度比为(4-8)：(0.5-1.5)：(2-6)：(0.02-0.06)：(0.04-0.08...

【专利技术属性】
技术研发人员：张万功，尹梓伟，李国强，张曙光，刘智崑，王文樑，郭康贤，
申请(专利权)人：东莞中之光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44