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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED倒装芯片及其制造方法，A、提供衬底，在衬底上依次形成N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；B、在衬底表面上形成欧姆接触层；C、在欧姆接触层上形成反射镜介质层；D、形成反射镜金属层；E、刻蚀暴露出...
该专利属于东莞中之光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞中之光电股份有限公司授权不得商用。

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