半导体器件的评估方法技术

本发明专利技术提供半导体器件的评估方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区和沟道，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件中寄生晶体管的二次击穿等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；根据寄生晶体管的二次击穿等效电路模型计算基区寄生电阻；以及根据基区寄生电阻评估所述半导体器件的可靠性。可根据所述基区寄生电阻评估所述半导体器件抗驻波能力、抗浪涌能力以及防静电放电能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的评估方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种射频放大器件横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性设计领域。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS，LateralDoubleDiffusedMOSFET)是一种市场需求大，发展前景广阔的射频功率放大器件。在射频无线通信领域，基站和长距离发射机几乎全部使用硅基横向双扩散金属氧化物半导体场效应高功率晶体管；此外，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管还广泛应用于射频放大器，如高频HF、甚高频VHF和特高频UHF通信领域、脉冲雷达、工业、科学和医疗应用、航空电子和通信系统等领域。由于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管具有高增益、高线性、高耐压、高输出功率和易于与CMOS工艺兼容等优点，硅基横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管已成为射频半导体功率器件的一个新热点。但是鉴于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的特殊应用方式，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管需要使用在不同种类放大器设计中，因此需要其满足较高等级的抗驻波能力、抗浪涌能力以及防静电放电能力，合适的可靠性设计能够有效提升器件的可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的评估方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区和沟道，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件中寄生晶体管的二次击穿等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；根据寄生晶体管的二次击穿等效电路模型计算基区寄生电阻；以及根据基区寄生电阻评估所述半导体器件的可靠性。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的评估方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区和沟道，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件中寄生晶体管的二次击穿等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；根据寄生晶体管的二次击穿等效电路模型计算基区寄生电阻；以及根据基区寄生电阻评估所述半导体器件的可靠性。2.根据权利要求1所述的评估方法，其中，采用以下公式计算所述基区寄生电阻：其中，Rb表示所述半导体器件的基区寄生电阻，Issb表示发生二次击穿时的源极电流，BVdx表示漏区衬底间的雪崩击穿电压，Vdssb...

【专利技术属性】
技术研发人员：万宁，李科，丛密芳，任建伟，李永强，李浩，宋李梅，黄苒，赵博华，苏畅，杜寰，
申请(专利权)人：北京顿思集成电路设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11