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本发明提供半导体器件的评估方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区和沟道，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件中寄生晶体管的二次击穿等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；根据寄...
该专利属于北京顿思集成电路设计有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京顿思集成电路设计有限责任公司授权不得商用。

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